[实用新型]一种发光二极管的封装体

说明书

本实用新型公开一种发光二极管的封装体，所述封装体自下而上包含：封装基板、透明封装胶、发光二极管；所述发光二极管自下而上包含：角度选择性反射结构，透明衬底、第一导电型半导体层、量子阱、第二导电型半导体层，所述量子阱、第二导电型半导体层部分被蚀刻，露出部分第一导电型半导体层，第一焊接电极位于所述露出的第一导电型半导体层上、第二焊接电极位于第二导电型半导体层上，其特征在于：所述封装基板的上表面具有锥形台，锥形台同时位于发光二极管下方，锥形台的表面为镜面；所述角度选择性反射结构对小入射角的光主要进行透射，大入射角的光主要进行反射。本实用新型可提高发光二极管封装体的发光效率。

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管的封装体，属于半导体光电子器件与技术领域。

背景技术

发光二极管由于具有透明的衬底，其发光层发出的光可以经发光二极管正面出射，也可以经透明衬底背面或侧面出射，大幅增加了发光二极管光的提取效率。在对发光二极管进行封装，将其固定于封装基板上，透过透明衬底背面出射的光会被封装基板吸收或反射回发光二极管内部，虽然通过在封装基板表面设置镜面，可减少封装基板的吸收，但同时也让更多的光被反射回发光二极管内部，如附图1所示，光线L1由于具有较小的入射角，被反射回发光二极管内部被吸收；光线L2则由于具有较大的入射角，被反射后可能经透明衬底侧壁出射。因此，现有技术中，具有较小入射角的光线将被反射回发光二极管内部而被吸收。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提供一种发光二极管的封装体，所述封装体自下而上包含：封装基板、透明封装胶、发光二极管；所述发光二极管自下而上包含：角度选择性反射结构，透明衬底、第一导电型半导体层、量子阱、第二导电型半导体层、第一焊接电极、第二焊接电极，所述量子阱、第二导电型半导体层边缘被蚀刻，露出第一导电型半导体层，所述第一焊接电极位于所述露出的第一导电型半导体层上、第二焊接电极位于第二导电型半导体层上，其特征在于：所述封装基板的上表面具有锥形台，锥形台同时位于发光二极管下方，锥形台的表面为镜面；所述角度选择性反射结构对小入射角的光主要进行透射，大入射角的光主要进行反射。

优选地，所述角度选择性反射结构为具有低折射率的透明介质，或具有高、低折射率的透明介质形成的交替叠层结构。

优选地，所述锥形台为一个，其顶点朝上并位于所述透明衬底发光二极管对称中心线上，其顶角小于[180°-arctan(a/2b)]，其中a、b分别为所述透明衬底的边长与厚度。

优选地，所述具有锥形台的封装基板表面为镜面，其可以是金属镜面也可以是DBR结构。

更优选地，所述金属镜面的金属可以为Ag、Au、Cu、Al的其中一种或组合。

本实用新型的优点在于，如附图2所示，在封装基板表面设置锥形台，小角度入射的光（如光线L1）将在锥形台表面反射，同时改变了光线的方向，使其可从透明衬底侧壁出射，这就使得原本会被反射回发光二极管的光线L1`得以出射；而对于大角度入射的光（如光线L2），其相对于原本的路径L2`，以更大的角度从发光二极管侧出射。

然而，如附图3所示，在上述结构中，可能存在某些极限情况下的大角度入射光线，原本可以出射的光（如光线L1`）可能被改变方向（如光线L1）反射回发光二极管内部。针对此问题，如附图4，本实用新型进一步在透明衬底向下的一面设置角度选择性反射结构，对小入射角的光主要进行透射，大入射角的光主要进行反射。对大角度入射的光线L2，其经由角度选择性反射结构反射，从透明衬底侧面出射；对小角度入射光线L1，其可透过角度选择性反射结构，经由锥形台表面改变方向，在角度选择性反射结构表面变为大角度入射，再次被反射，如此往复，光线被限制在封装胶体内，并不断向着垂直发光二极管侧壁的方向转变，最终出射。

因此，本实用新型将发光二极管射向透明衬底背面的光大部分提取出来，避免现有技术中背面出射光被封装基板吸收，或反射回发光二极管内部再吸收，提高发光二极管的发光效率。

附图说明