[实用新型]进气装置、反应腔室以及半导体加工设备

权利要求书

1.一种进气装置，用于半导体加工设备中向反应腔输送工艺气体，所述工艺气体中包括源气体和掺杂气体；所述进气装置包括：腔体和多个第一输气管路，所述腔体中形成有多个进气腔，每个所述进气腔均具有进气口和出气口；其特征在于，

每个所述第一输气管路上均设置有第二输气管路，其中：

每个所述第一输气管路均设置有第一进气口、第二进气口和第一出气口，所述第一出气口均与至少一个所述进气腔的进气口连通，所述第一进气口与所述第二输气管路的出气口连通，所述第二进气口与提供源气体的第一气体源连通，所述第二输气管路的进气口与提供掺杂气体的第二气体源连通；

所述第二输气管路上设置有流量控制模块，所述流量控制模块用于控制所述第二输气管路所输送的所述掺杂气体的流量。

2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述流量控制模块包括第一气动阀。

3.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第二输气管路上还设置有稳压模块，所述稳压模块用于调整所述第二输气管路中气体的压力，使所述第二输气管路中各处的气体压力一致。

4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，

所述第二输气管路还设置有排气口；

所述稳压模块包括：排气管路、设置在所述排气管路上的第二气动阀和背压阀，且所述排气管路的进气口与所述第二输气管路的排气口连通，所述第二气动阀设置在所述背压阀与所述排气管路的进气口之间。

5.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述腔体具有朝向所述反应腔的进气端面；所述多个进气腔的出气口在所述进气端面上水平排列；

所述多个进气腔包括：外区进气腔和内区进气腔；所述外区进气腔的出气口位于所述进气端面的两端，用于分别向所述反应腔两侧的边缘区域输送工艺气体；

所述内区进气腔的出气口位于所述进气端面的中部，用于向所述反应腔的中部区域输送工艺气体。

6.根据权利要求5所述的进气装置，其特征在于，所述腔体的进气端面上设置有匀流板；

所述匀流板上设置有多组通气孔，每组所述通气孔均包括多个通气孔，每个所述进气腔均对应一组所述通气孔，并且，所述通气孔的进气端与相应的所述进气腔连通，所述通气孔的出气端与所述反应腔连通。

7.根据权利要求5所述的进气装置，其特征在于，所述多个第一输气管路包括：内区输气管路和外区输气管路；

所述腔体中还形成有：内区进气通道和外区进气通道，所述内区进气通道位于所述内区进气腔的下方，所述内区进气腔的进气口通过所述内区进气通道与所述内区输气管路的出气口连通；

所述外区进气通道位于所述外区进气腔的上方，且每个所述外区进气腔的进气口通过所述外区进气通道与所述外区输气管路的出气口连通。

8.一种反应腔室，其特征在于，包括：反应腔和设置在反应腔一侧的进气装置；所述进气装置采用如权利要求1-7任一项所述的进气装置。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔中设置有基座，所述基座用于承载基片；所述基座能够在驱动装置的驱动下转动。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求8或9所述的反应腔室。