[实用新型]进气装置、反应腔室以及半导体加工设备

说明书

本实用新型提供了一种进气装置，用于半导体加工设备中向反应腔输送工艺气体，进气装置包括：腔体和多个第一输气管路，每个第一输气管路上均设置有第二输气管路，其中：每个所述第一输气管路均设置有第一进气口、第二进气口和第一出气口，第一出气口均与至少一个进气腔的进气口连通，第一进气口与第二输气管路的出气口连通，第二进气口与提供源气体的第一气体源连通，第二输气管路的进气口与提供掺杂气体的第二气体源连通；第二输气管路上设置有流量控制模块，流量控制模块用于控制第二输气管路所输送的掺杂气体的流量。本实用新型还提供了一种反应腔室和半导体加工设备。本实用新型可以使反应腔中基片表面成膜的电阻率一致。

技术领域

本实用新型涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种进气装置、

反应腔室以及半导体加工设备。

背景技术

外延生长是指在衬底上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，在外延生长过程中，需要控制的主要参数有温度、源气体流量、载运气体流量和掺杂气体流量等。具体地，为满足工艺中对基片上成膜的厚度均匀性以及电阻率均匀性的要求，需要避免基片表面上工艺气体产生波动、湍流和对流涡旋，因此，在工艺过程中，应当使输运到基片表面各处的工艺气体的流量保持一致，以使衬底上的气流保持稳定。

然而，现有技术中缺乏对掺杂气体流量的控制，当出现其他因素干扰基片成膜的电阻率时(例如温度)，将导致基片上受干扰的部分成膜的电阻率较大或较小，影响基片上成膜的电阻率的均匀性。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种进气装置、反应腔室以及外延生长设备。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种进气装置，用于半导体加工设备中向反应腔输送工艺气体，所述工艺气体中包括源气体和掺杂气体；所述进气装置包括：腔体和多个第一输气管路，所述腔体中形成有多个进气腔，每个所述进气腔均具有进气口和出气口；其中，

每个所述第一输气管路上均设置有第二输气管路，其中：

每个所述第一输气管路均设置有第一进气口、第二进气口和第一出气口，所述第一出气口均与至少一个所述进气腔的进气口连通，所述第一进气口与所述第二输气管路的出气口连通，所述第二进气口与提供源气体的第一气体源连通，所述第二输气管路的进气口与提供掺杂气体的第二气体源连通；所述第二输气管路上设置有流量控制模块，所述流量控制模块用于控制所述第二输气管路所输送的所述掺杂气体的流量。

可选地，所述流量控制模块包括第一气动阀。

可选地，所述第二输气管路上还设置有稳压模块，所述稳压模块用于调整所述第二输气管路中气体的压力，使所述第二输气管路中各处的气体压力一致。

可选地，所述第二输气管路还设置有排气口；所述稳压模块包括：

排气管路、设置在所述排气管路上的第二气动阀和背压阀，且所述排气管路的进气口与所述第二输气管路的排气口连通，所述第二气动阀设置在所述背压阀与所述排气管路的进气口之间。

可选地，所述腔体具有朝向所述反应腔的进气端面；所述多个进气腔的出气口在所述进气端面上水平排列；

所述多个进气腔包括：外区进气腔和内区进气腔；所述外区进气腔的出气口位于所述进气端面的两端，用于分别向所述反应腔两侧的边缘区域输送工艺气体；

所述内区进气腔的出气口位于所述进气端面的中部，用于向所述反应腔的中部区域输送工艺气体。

可选地，所述腔体的进气端面上设置有匀流板；

所述匀流板上设置有多组通气孔，每组所述通气孔均包括多个通气孔，每个所述进气腔均对应一组所述通气孔，并且，所述通气孔的进气端与相应的所述进气腔连通，所述通气孔的出气端与所述反应腔连通。