[实用新型]芯片封装器件

说明书

本实用新型公开了一种芯片封装器件，包括：芯片、第一光敏介质层、第一金属层；所述第一光敏介质层位于所述芯片和所述第一金属层之间；所述第一金属层中靠近所述第一光敏介质层的表面设有第一金属连接部和第二金属连接部；所述第一光敏介质层设有第一通孔和第二通孔，所述第一金属连接部通过第一通孔和所述芯片电极中的正极连接，所述第二金属连接部通过所述第二通孔和所述芯片电极中的负极连接。芯片电极未通过锡膏、银浆等和基板连接，而是直接和金属层连接，芯片和金属层之间的空档区域设有光敏介质层，光敏介质层为绝缘体，从而降低了芯片电极短接的可能性，进而提高了芯片封装器件的稳定性、可靠性、安全性及使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及芯片封装器件。

背景技术

随着发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)产业的快速发展，芯片封装器件越来越受到人们的关注，在制备芯片封装器件的时候，通常需要对芯片进行封装。

目前，将多个LED芯片放在载板上，将LED芯片的正负极用锡膏、银浆等导通。

但是，将LED芯片的正负极用锡膏、银浆导通时，考虑到锡膏、银浆等液体具有流动性，可能会导致LED芯片的正负极短接，从而降低芯片封装器件的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型提供了一种芯片封装器件，芯片电极未通过锡膏、银浆等和基板连接，而是直接和金属层连接，从而降低了芯片电极短接的可能性，进而提高了芯片封装器件的稳定性、可靠性、安全性及使用寿命；通过光敏介质层进行金属层和芯片电极的连接，可使得芯片封装器件达到微缩化精度。

第一方面，本实用新型提供了一种芯片封装器件，包括：芯片、第一光敏介质层、第一金属层；

所述第一光敏介质层位于所述芯片和所述第一金属层之间；

所述第一金属层中靠近所述第一光敏介质层的表面设有第一金属连接部和第二金属连接部；

所述第一光敏介质层设有第一通孔和第二通孔，所述第一金属连接部通过第一通孔和所述芯片电极中的正极连接，所述第二金属连接部通过所述第二通孔和所述芯片电极中的负极连接。

优选地，所述正极和所述负极位于所述芯片中靠近所述第一光敏介质层的表面；

则，所述第一通孔靠近所述芯片的底部为所述正极，所述第二通孔靠近所述芯片的底部为所述负极。

优选地，还包括：保护层，所述保护层和所述芯片中远离所述第一光敏介质层的表面接触。

优选地，所述正极和所述负极相对，所述正极靠近所述第一光敏介质层；

所述第一通孔底部为所述正极，所述第二通孔位于所述芯片和与所述芯片相邻的芯片之间；

所述保护层在所述第二通孔位置开设第三通孔，在所述负极位置开设第四通孔；

所述第二金属连接部通过所述第二通孔、第三通孔、第四通孔和所述负极连接。

优选地，所述正极和所述负极位于所述芯片中远离所述第一光敏介质层的表面；

则，所述第一通孔和所述第二通孔位于所述芯片和与所述芯片相邻的芯片之间；

所述保护层在所述第一通孔位置开设第五通孔，在所述第二通孔位置开设第六通孔，在所述正极位置开设第七通孔，在所述负极位置开设第八通孔；

所述第一金属连接部通过所述第一通孔、第五通孔、第七通孔和所述正极连接；

所述第二金属连接部通过所述第二通孔、第六通孔、第八通孔和所述负极连接。