[实用新型]一种紫外光探测器有效
申请号: | 201922227682.0 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN211879398U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 于洪宇;张一;唐楚滢;汪青 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;G01V8/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外光 探测器 | ||
本实用新型实施例公开了一种紫外光探测器,包括衬底,衬底具有空腔;压电层,压电层位于衬底的一侧,并覆盖空腔;位于压电层第一面上的顶电极、以及位于压电层第二面上的底电极,第一面和第二面相对,第二面为靠近衬底的一面,顶电极为叉指电极;实现对紫外光基于兰姆波谐振器的高灵敏度和低功耗探测。
技术领域
本实用新型实施例涉及紫外光探测技术领域,尤其涉及一种紫外光探测器。
背景技术
紫外探测是继红外探测和激光探测之后的一种新兴探测技术,紫外探测在环境监测、导弹发射探测、医疗保健、光通信等领域有着广泛的应用。
传统的紫外探测器主要分为两类:真空紫外探测器和固体紫外探测器。真空紫外探测器主要由各种光电倍增管及其衍生的成像器件组成,光电倍增管具有优良的综合性能和成熟的制造工艺,但存在体积大、重量大等固有缺点,而且还需要高于100V的工作电压,导致功耗较高。固态紫外探测器主要基于半导体材料,由于紫外光照射会改变外部电路的电流,从而可以观测紫外光的光强度,但外部电路的引入会使紫外探测器功耗较大,且基于窄禁带半导体的紫外探测器需要高通滤光片来阻挡可见光和红外光子,高通滤光片的引入导致紫外探测器系统中有效面积的显著损失,并增加成本。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种实用新型名称紫外光探测器,以实现对紫外光的基于兰姆波谐振器的高灵敏度和低功耗探测。
本实用新型实施例提供了一种紫外光探测器,该紫外光探测器包括:
衬底,衬底具有空腔;
压电层,压电层位于衬底的一侧,并覆盖空腔;
位于压电层第一面上的顶电极、以及位于压电层第二面上的底电极,第一面和第二面相对,第二面为靠近衬底的一面,顶电极为叉指电极。
可选地,压电层材料包括AlN、GaxAl1-xN、ScxAl1-xN、YxAl1-xN、GaN或ZnO。
可选地,底电极为面状电极。
可选地,叉指电极的叉指周期为400nm~40μm。
可选地,底电极和顶电极的材质均包括Al、Au、Pt、Mo、Cu或Ag。
可选地,压电层的厚度为500~2000nm。可选地,衬底包括顶层和底层,空腔自顶层的上表面至底层的上表面设置。
可选地,衬底还包括中间层,中间层位于顶层与底层之间;空腔自顶层的上表面至中间层的上表面设置。
可选地,底电极为叉指电极。
本实用新型实施例通过设置衬底,衬底具有空腔;压电层,压电层位于衬底的一侧,并覆盖空腔;位于压电层第一面上的顶电极、以及位于压电层第二面上的底电极,第一面和第二面相对,第二面为靠近衬底的一面,顶电极为叉指电极;解决常规紫外光探测器的低灵敏度和高功耗问题,实现对紫外光的基于兰姆波谐振器的高灵敏度和低功耗探测。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种紫外光探测器的截面结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的另一种紫外光探测器的截面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的