[实用新型]利用辐射热源的基板处理装置有效
申请号: | 201922228670.X | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN211182176U | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 朴炯信 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;F26B3/30 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 辐射 热源 处理 装置 | ||
本实用新型涉及一种基板处理装置,提供如下一种基板处理装置,在放置于由多孔性材质形成且平坦的上面的状态下,在向多孔板施加吸入压而使得基板吸附固定的状态下,利用隔开配置于多孔板下侧的热源对多孔板进行加热,由此使得涂覆于基板上面的药液干燥。
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理装置,更加具体地,涉及如下一种基板处理装置,即使在基板的弯曲变形的情况下也能准确地对基板进行吸附固定,而无需夹紧,同时在干燥工艺中抑制涂覆于基板的药液的流动,从而没有斑点地使得药液干燥。
背景技术
在制造半导体封装或制造显示装置的工艺中,以使得基板(包括″晶片″)的位置固定的状态进行涂覆于基板的药液的干燥工艺等多种处理工艺。
在进行基板的多种处理工艺期间,虽然也有在基板移动的同时进行处理工艺的情况,但是大部分是在固定基板的位置的状态下进行对基板的涂覆、蚀刻、干燥等处理工艺。并且,为了固定基板的位置设置有向基板的底面施加吸入压的结构。
例如,图1及图2中示出的现有的基板处理装置9包括:放置板10,其凸出形成有多个凸起15,基板G放置于凸起上;空压调节部20,其向放置板10施加吸入压;热线40,其对放置于放置板10上的基板G进行加热。
由于为了可以从空压调节部20向放置板10施加吸入压而在放置板10上形成有多个吸入口10a,所以如果基板G放置于放置板10上,则吸入压从空压调节部20经过吸入通道22后通过吸入口10a施加至基板G的底面,从而使得基板G紧贴于放置板10。如果基板G紧贴于放置板10,则热线40进行加热的同时使得放置于放置板10的基板G上的药液干燥。
如果热源配置于基板G的上侧,则药液从上部开始被加热的同时得到干燥,从而可能会因药液内部后来被加热的同时产生的起泡等而产生斑点。因此,如图1及图2所示,在基板G的下侧配置热线40,从而从涂覆于基板G的药液的下部开始进行加热,由此可以获得在干燥工艺中抑制药液的上下流动的效果。
但是,如图3所示,热线40本身存在间隔空隙,而且在均匀地分散配置于放置板10整体时受到限制,因此,在和热线40接近的部分以及与热线40远远隔开的位置会产生加热偏差。因此问题在于,在涂覆于基板G的上面的药液(未示出)产生由加热偏差导致的流动,从而引起药液斑点的产生。
不仅如此,在以将基板G放置于图1及图2所示的放置板10的状态对药液进行干燥的情况下,基板G被放置于凸起15上,因而在热量Q1从热线40经过凸起15后借助于热传导传递至的部分YY和热量Q2从放置板10经过空气后借助于热对流传递至的部分ZZ之间产生加热量偏差。因此,局限在于由基板G的加热量偏差导致产生药液的斑点问题。
尤其,在制造半导体封装的情况下,如果基板G的加热量偏差超过0.5℃,则斑点问题变得严重,以至于图案显现出来而被看到。因此,在加热基板时利用热传导的直接加热方式存在局限。另外,虽然试图通过向基板的底面流入高温气体来利用借助于对流的热传递对药液进行干燥,但是局限在于,为了采用借助于对流的热传递方式无法牢固地固定基板的位置。
由此,切实需要在以放置基板G的状态从基板下部进行加热并干燥药液的过程中对基板G进行准确的吸附固定的同时使得基板G的加热量的偏差限制在0.5℃以下的范围内的方案。
另外,虽然供给至基板处理装置9的基板G优选为完全水平的平坦面形状,但是根据情况的不同可能产生中央部向下方或上方鼓起的弯曲变形。在这种情况下,为基板的边缘或中央部更向上侧抬起的状态,因此,吸入压无法充分作用于向上侧抬起的部分,具有难以将基板G紧贴于放置板10的局限。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造