[实用新型]一种光刻工艺高频衰减片有效
| 申请号： | 201922230540.X | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN210897569U | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈雷;王元宇;许春宁;杨佳鸣 | 申请（专利权）人： | 四川永星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 房立普 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 工艺 高频 衰减 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻工艺高频衰减片，其特征在于，包括陶瓷基体(1)和设置在所述陶瓷基体(1)上的导电薄膜带(2)、电阻带(3)，所述导电薄膜带(2)包括上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分，所述上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分依次平行布置在所述陶瓷基体(1)的上端面上，并且两两之间具有间隙，其中中间薄膜带部分两端分别延伸至陶瓷基体(1)的两端端面上，所述电阻带(3)两端分别与上部薄膜带部分、下部薄膜带部分连接；所述导电薄膜带(2)为氧化铍薄膜，所述电阻带(3)为氮化钽电阻带。
2.根据权利要求1所述的一种光刻工艺高频衰减片，其特征在于，所述电阻带(3)的个数为三个。
3.根据权利要求2所述的一种光刻工艺高频衰减片，其特征在于，其三个电阻带(3)平行设置在同一平面，并纵向布置在所述陶瓷基体(1)的上端面上。
4.根据权利要求1所述的一种光刻工艺高频衰减片，其特征在于，所述导电薄膜带(2)、电阻带(3)均采用薄膜光刻的工艺制作。
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