[实用新型]一种光刻工艺高频衰减片

说明书

本实用新型涉及一种光刻工艺高频衰减片，包括陶瓷基体和设置在所述陶瓷基体上的导电薄膜带、电阻带，所述导电薄膜带包括上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分，所述上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分依次平行布置在所述陶瓷基体的上端面上，并且两两之间具有间隙，其中中间薄膜带部分两端分别延伸至陶瓷基体的两端端面上，所述电阻带两端分别与上部薄膜带部分、下部薄膜带部分连接。本实用新型使用了氮化钽电阻带，调阻方式是加热，同时进行阻值确认，不需要反复烧结，提高了效率，降低了工艺难度。

技术领域

本实用新型涉及一种光刻工艺高频衰减片，属于电子元器件技术领域。

背景技术

高频衰减片主要用于微波组件或射频电路中衰减功率，特点是体积小、功率大、高频特性优良。目前市场上的高频衰减片大部分是采用厚膜印刷工艺后经过激光调阻或者反烧调阻制成。但受限于工艺的图形精度等问题，通常大尺寸衰减片使用频率较低；通过减小尺寸提高频率的方式，又会带来功率不足的问题。

实用新型内容

本实用新型主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种具有高效率的光刻工艺高频衰减片。

本实用新型解决上述技术问题所提供的技术方案是：一种光刻工艺高频衰减片，包括陶瓷基体和设置在所述陶瓷基体上的导电薄膜带、电阻带，所述导电薄膜带包括上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分，所述上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分依次平行布置在所述陶瓷基体的上端面上，并且两两之间具有间隙，其中中间薄膜带部分两端分别延伸至陶瓷基体的两端端面上，所述电阻带两端分别与上部薄膜带部分、下部薄膜带部分连接。

进一步的技术方案是，所述电阻带的个数为三个。

进一步的技术方案是，其三个电阻带平行设置在同一平面，并纵向布置在所述陶瓷基体的上端面上。

进一步的技术方案是，所述导电薄膜带为氧化铍薄膜。

进一步的技术方案是，所述电阻带为氮化钽电阻带。

进一步的技术方案是，所述导电薄膜带、电阻带均采用薄膜光刻的工艺制作。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型使用了氮化钽电阻带，调阻方式是加热，同时进行阻值确认，不需要反复烧结，从而具有较高的效率和降低了工艺难度的优点。

附图说明

图1是本实用新型的外形示意图；

图2是本实用新型的结构示意图。

图中标记：1-陶瓷基体；2-导电薄膜带；3-电阻带。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型做更进一步的说明。

如图1和2所示，本实用新型的一种光刻工艺高频衰减片，包括陶瓷基体1和设置在所述陶瓷基体1上的导电薄膜带2、三个平行且位于相同平面的电阻带3，所述导电薄膜带2包括上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分，所述上部薄膜带部分、中间薄膜带部分、下部薄膜带部分依次平行横向布置在所述陶瓷基体1的上端面上，并且两两之间具有相同的间隙，三个平行且位于相同平面的电阻带3纵向布置在所述陶瓷基体1的上端面上；其中中间薄膜带部分两端分别延伸至陶瓷基体1的两端端面上，所述电阻带3两端分别与上部薄膜带部分、下部薄膜带部分连接。本实施例的尺寸分别为15.8mm×5mm×0.381mm，功率25W，使用频率DC-26.5GHz。

实施例的制备过程是:在单面抛光的陶瓷基体上通过磁控溅射的方式形成多层金属结构，然后通过光刻工艺刻蚀掉多余的金属层，形成目标图形，最后通过加热调阻的方式使得产品阻值达到目标要求。其光刻工艺是保证产品的精度(±0.01mm)，使得产品高频性能不因尺寸达不到要求而受到影响。