[实用新型]一种漏电互补的ESD结构有效
| 申请号： | 201922241699.1 | 申请日： | 2019-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN210607251U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吕强;孙忠民;郭靖;赵红武 | 申请（专利权）人： | 西安硅宇微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03K17/041 |
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| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 互补 esd 结构 | ||
1.一种漏电互补的ESD结构，其特征在于，包括两组ESD电路，所述两组ESD电路分为第一ESD电路和第二ESD电路，所述第一ESD电路和第二ESD电路分别设置在输出开关的两端，其中：
所述输出开关包括相互并联的第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)，并联后两侧的公共端分为第一端口(S)和第二端口(D)；
ESD电路包括第二NMOS管(N2)和第三NMOS管(N3)；
所述第一ESD电路中的第二NMOS管(N2)设置在第一端口(S)与VSS电源之间，所述第一ESD电路中的第三NMOS管(N3)设置在第一端口(S)与VDD电源之间；
所述第二ESD电路中的第二NMOS管(N2)设置在第二端口(D)与VSS电源之间，所述第二ESD电路中的第三NMOS管(N3)设置在第二端口(D)与VDD电源之间。
2.根据权利要求1所述的漏电互补的ESD结构，其特征在于，所述第一ESD电路中第二NMOS管(N2)的源极连接VSS电源，第二NMOS管(N2)的漏极连接第一端口(S)，所述第一ESD电路中第三NMOS管(N3)的源极连接第一端口(S)，第一ESD电路中第三NMOS管(N3)的漏极连接VDD电源。
3.根据权利要求1所述的漏电互补的ESD结构，其特征在于，所述第二ESD电路中第二NMOS管(N2)的源极连接VSS电源，第二NMOS管(N2)的漏极连接第二端口(D)，所述第二ESD电路中第三NMOS管(N3)的源极连接第二端口(D)，第二ESD电路中第三NMOS管(N3)的漏极连接VDD电源。
4.根据权利要求1所述的漏电互补的ESD结构，其特征在于，所述第二NMOS管(N2)和第三NMOS管(N3)为LDNMOS管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
