[实用新型]一种漏电互补的ESD结构

说明书

本实用新型提供了一种漏电互补的ESD结构，属于电力电子技术，该结构包括两组ESD电路，其中：第一ESD电路和第二ESD电路分别设置在输出开关的两端。本实用新型提出的新型漏电互补的ESD结构能够替代传统的ESD结构，该结构可以大幅度降低开关关断电流的数值，经过实测，该结构可使模拟多路复用器芯片单路开关的关断电流降低到0.1nA以内，提升了模拟多路复用器芯片对微信号传输的准确性。

技术领域

本实用新型属于电力电子技术，尤其涉及一种漏电互补的ESD结构。

背景技术

模拟多路复用器芯片，在输出开关关断情况下,不可避免的漏电问题会影响信号传输的准确性。传统的输出开关和ESD结构如图1所示，图1中输出开关是由第一PMOS管P1和第一NMOS管N1组成的，其中P1的衬底(N阱)接V_DD电源，N1的衬底(P-sub)接V_SS电源。这对开关管在控制信号GP和GN的作用下同时打开或者关断。

在关断的情况下，开关的漏电包括两个方面：一方面是由于的第一PMOS管和第一NMOS管源漏端和衬底之间的反偏PN结D1二极管、D2二极管、D3二极管、D4二极管在不同的反偏电压下的漏电造成的。另一方面，漏电也存在于和S端口和D端口输出PAD所连接的 ESD结构相关。其中，反偏PN结二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8在不同的反偏电压下也存在漏电，所以总的关断电流是上述器件共同漏电的总和。这种结构的模拟多路复用器芯片单路开关的关断电流为0.2nA左右。

因此，如何降低关断电流，提升模拟多路复用器芯片对微信号传输的准确性，成为了当前该技术领域的重要技术问题。

实用新型内容

本实用新型采用新型漏电互补的ESD结构能够替代传统的ESD结构，该结构可以大幅度降低开关关断电流的数值，经过实测，该结构可使模拟多路复用器芯片单路开关的关断电流降低到0.1nA以内，提升了模拟多路复用器芯片对微信号传输的准确性。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种漏电互补的ESD结构包括两组ESD电路，两组ESD电路分为第一ESD电路和第二ESD电路，所述第一ESD电路和第二ESD电路分别设置在输出开关的两端，其中：所述输出开关包括相互并联的第一PMOS管和第一NMOS管，并联后两侧的公共端分为第一端口和第二端口；所述ESD电路包括第二NMOS管和第三NMOS管；所述第一ESD电路中的第二NMOS管设置在第一端口与V_SS电源之间，所述第一ESD电路中的第三NMOS管设置在第一端口与V_DD电源之间；所述第二ESD电路中的第二NMOS管设置在第二端口与V_SS电源之间，所述第二ESD电路中的第三NMOS管设置在第二端口与V_DD电源之间。

优选的，所述第一ESD电路中第二NMOS管的源极连接V_SS电源，第二NMOS管的漏极连接第一端口，所述第一ESD电路中第三NMOS 管的源极连接第一端口，第一ESD电路中第三NMOS管的漏极连接 V_DD电源。

优选的，所述第二ESD电路中第二NMOS管的源极连接V_SS电源，第二NMOS管的漏极连接第二端口，所述第二ESD电路中第三NMOS 管的源极连接第二端口，第二ESD电路中第三NMOS管的漏极连接 V_DD电源。

优选的，所述第二NMOS管和第三NMOS管为LDNMOS管。

本实用新型的一种漏电互补的ESD结构具有以下有益效果：

该新型漏电互补的ESD结构可以大幅度降低开关关断电流的数值，经过实测，该结构可使模拟多路复用器芯片单路开关的关断电流降低到0.1nA以内，与传统ESD结构相比，可以使关断电流下降到原来的50％以内，提升了模拟多路复用器芯片对微信号传输的准确性。