[实用新型]一种改进的承片篮

说明书

本实用新型公开了一种改进的承片篮，包括片架主体，片架主体上端面前后两侧分别设有凸起，片架主体内部均布有置片槽，片架主体两侧分别开有通孔，两个通孔之间安装有提手，提手呈U形结构，本实用新型结构设计新颖，在晶圆电泳完表面有大量挥发性液体需要放入片架晾干情况下，加速晾干，同时减少晶圆与片架接触区域，以提高作业速度和晶圆片的良品率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆片架技术领域，具体为一种改进的承片篮。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％。晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合，剩下硅)，得到纯度约为98％的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999％，成为电子级硅。接下来是单晶硅生长，最常用的方法叫直拉法。

晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。

目前晶圆电泳完需要放入有机溶剂内，将表面玻璃浆液清洗干净后放入特氟龙片架内，这样在有机溶剂挥发完全后，晶圆与特氟龙片架接触区产生大量的色差印，影响晶圆表面质量，甚至造成玻璃粉脱落影响电性参数。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改进的承片篮，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种改进的承片篮，包括片架主体，所述片架主体上端面前后两侧分别设有凸起，所述片架主体内部均布有置片槽，所述片架主体两侧分别开有通孔，两个通孔之间安装有提手。

优选的，所述置片槽采用V形结构。

优选的，所述提手呈U形结构。

优选的，所述片架主体整体为长方体，由3个侧面围成。

优选的，所述片架主体、提手均采用304不锈钢材质制成。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构设计新颖，在晶圆电泳完表面有大量挥发性液体需要放入片架晾干情况下，加速晾干，同时减少晶圆与片架接触区域，以提高作业速度和晶圆片的良品率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。