[实用新型]一种立体集成整流阵列

说明书

本实用新型公开了一种立体集成整流阵列，包括：AMB‑陶瓷基板，其上端面沿其四周固设有金属环框，所述金属环框与所述AMB‑陶瓷基板形成一腔体，位于所述腔体内的AMB‑陶瓷基板上开设有通孔，所述通孔内填塞有铜柱；第一焊盘，其包括阳极焊盘Pn和阴极焊盘Nn，所述第一焊盘焊接在所述铜柱的上表面和下表面，且所述阳极焊盘Pn和所述阴极焊盘Nn间隔排布，同一所述铜柱上焊接的第一焊盘的类型相同；二极管芯片，其位于所述腔体内且设于所述阳极焊盘Pn的上端面，所述二极管芯片与相邻的阴极焊盘Nn互联；将所述腔体封盖的金属盖板。本实用新型中的立体集成整流阵列尺寸小、重量轻、可靠性高且气密性好。

技术领域

本实用新型属于电子器件领域，具体涉及一种立体集成整流阵列。

背景技术

高密度超小型整流阵列由于具有芯片集成度高、体积小、应用灵活的特点，可实现节约空间、简化电路布局面积，符合航天型号用器件小型化、轻型化的发展趋势，已逐渐成为当前军用通信卫星、导航系统以及载人航天工程微波数传系统使用的核心部件。卫星系统中多路高功率密度信号的集中控制，必须采用高功率密度多通道集成开关来实现。此外，宇航系统高压输出电源中大量应用的半波整流、全波整流、桥式整流等功能目前都需要不同结构形式的分立整流二极管通过串并联实现，布线复杂且不利于微型化，并且根据不同的整流需求，整流电路需设计成不同的结构，兼容性和重构性较差。

国内宇航星载用整流二极管器件仍以单芯片单管为主，暂无厂家推出高密度小型化多芯片立体集成阵列产品，工艺制造技术方面仍然面临很多难点。该类产品已成为制约我国卫星数传系统研制的重大技术瓶颈。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型有必要提供一种立体集成整流阵列，该立体集成整流阵列以AMB-陶瓷基板为核心，将AMB-陶瓷基板与金属环框焊接形成腔体，在腔体内形成独立的整流通道，并在底部设置焊盘，使得该整流阵列体积小、重量轻、功率大，且拓扑可重构，气密性优良，解决了现有的整流阵列兼容性、重构性差，无法高密度小型化的技术问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种立体集成整流阵列，包括：

AMB-陶瓷基板，其上端面沿其四周固设有金属环框，所述金属环框与所述AMB-陶瓷基板形成一腔体，位于所述腔体内的AMB-陶瓷基板上开设有通孔，所述通孔内填塞有铜柱；

第一焊盘，其包括阳极焊盘Pn和阴极焊盘Nn，所述第一焊盘焊接在所述铜柱的上表面和下表面，且所述阳极焊盘Pn和所述阴极焊盘Nn间隔排布，同一所述铜柱上焊接的第一焊盘的类型相同；

二极管芯片，其位于所述腔体内且设于所述阳极焊盘Pn的上端面，所述二极管芯片通过铝丝键合与相邻的阴极焊盘Nn互联；

金属盖板，其设于所述金属环框的上端，将所述腔体封盖。

进一步的，所述AMB-陶瓷基板为AMB-AlN陶瓷基板。

进一步的，所述金属环框为可伐金属环框。

进一步的，其还包括：

第二焊盘，其为Pad焊盘，焊接在所述AMB-陶瓷基板的底部，且与所述第一焊盘无连接。

优选的，所述第二焊盘位于述AMB-陶瓷基板的底部中心位置。

进一步的，所述通孔围绕所述AMB-陶瓷基板四周呈阵列排布，且所述阳极焊盘Pn与所述阴极焊盘Nn间隔排布。

进一步的，所述二极管芯片为堆叠芯片，所述堆叠芯片由两层二极管裸芯片串联堆叠放置，位于所述堆叠芯片上层的二极管裸芯片通过铝丝键合与相邻的阴极焊盘Nn互联。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：