[实用新型]一种集成ESD的VDMOS器件有效
| 申请号： | 201922263152.1 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN211017088U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;唐呈前;李生龙 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 esd vdmos 器件 | ||
1.一种集成ESD的VDMOS器件，其特征在于，包括：栅极沟槽、ESD区沟槽、屏蔽层引出区沟槽、有源区沟槽、外延层；
所述外延层上依次设置所述有源区沟槽、所述ESD区沟槽、所述屏蔽层引出区沟槽和所述栅极沟槽；
两个所述有源区沟槽之间的N型源极区和所述屏蔽层引出区沟槽分别设置源极区金属层接触孔，所述ESD区沟槽和所述栅极沟槽分别设置栅极区金属层接触孔；其中，所述ESD区沟槽内从上至下分布第四多晶硅层、第三多晶硅层和屏蔽层多晶硅区。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括P型阱区层和N型源极区；
所述P型阱区层位于所述外延层内，且所述栅极沟槽、所述ESD区沟槽、所述屏蔽层引出区沟槽和所述有源区沟槽均穿过所述P型阱区层；
所述N型源极区位于所述P型阱区层内，且分布在两个所述有源区沟槽的两侧。
3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极沟槽的底部和所述有源区沟槽的底部均设置有所述屏蔽层多晶硅区，所述屏蔽层多晶硅区由第一多晶硅层形成。
4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，位于所述ESD区沟槽内的所述屏蔽层多晶硅区与所述第三多晶硅层相接触；
位于所述栅极沟槽和所述有源区沟槽内的所述屏蔽层多晶硅区与所述第四多晶硅层之间还包括有栅氧化层。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述源极区金属层和所述栅极区金属层与所述外延层上表面之间还设置有绝缘介质层，且与所述源极区金属层和所述栅极区金属层相接触的所述接触孔贯穿所述绝缘介质层分别与N型源极区、所述屏蔽层引出区沟槽、所述ESD区沟槽和所述栅极沟槽相接触。
6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括衬底层和漏极区金属层；
所述衬底层位于所述外延层的下方，所述漏极去金属层位于所述衬底层的下方。
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