[实用新型]一种N型电池结构

权利要求书

1.一种N型电池结构，包括N型硅体材料及形成于所述N型硅体材料表面的金属栅线电极，其特征在于，所述N型硅体材料的背面设有绒面部分及抛光部分，所述金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置位于所述绒面部分内。

2.根据权利要求1所述的N型电池结构，其特征在于，金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置为绒面，未接触的位置为抛光面。

3.根据权利要求1所述的N型电池结构，其特征在于，所述N型电池还包括依次位于所述N型硅体材料正面的pn结层、钝化层、减反射层和正面电极，

以及依次位于所述N型硅体材料背面的量子隧穿层、P掺杂的多晶硅层、保护层和金属栅线电极；

其中，正面电极与钝化层接触，金属栅线电极与P掺杂的多晶硅层接触。

4.根据权利要求1所述的N型电池结构，其特征在于，所述N型硅体材料背面的绒面高度为0.5μm～5μm。

5.根据权利要求3所述的N型电池结构，其特征在于，所述量子隧穿层的厚度在2nm以下，所述P掺杂的多晶硅层的厚度为80nm～120nm。

6.根据权利要求3所述的N型电池结构，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层。

7.根据权利要求3所述的N型电池结构，其特征在于，所述减反射层为氮化硅层、二氧化硅层或碳化硅层中的任意一种。

8.根据权利要求3所述的N型电池结构，其特征在于，所述量子隧穿层为二氧化硅层。

9.根据权利要求3所述的N型电池结构，其特征在于，所述保护层为氮化硅层。

10.根据权利要求3所述的N型电池结构，其特征在于，所述金属栅线电极为银电极。