[实用新型]一种N型电池结构

说明书

本实用新型公开了一种N型电池结构。所述N型电池结构包括N型硅体材料，所述N型硅体材料背面为部分绒面部分抛光面的选择性绒面结构，金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置为绒面。在背面金属电极接触位置制作选择性绒面结构，改善金属下接触，提高电池填充；在膜层钝化位置制作抛光的平片，提高钝化效果，降低表面复合速率，提高开压，同时提高对光的内反射，提高电流。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，涉及一种N型电池结构。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，电池效率日益提高，主要得益于表面钝化技术的发展，如全铝背场电池发展到PERC电池得益于氧化铝被钝化技术的发展，极大的降低了电池背表面的复合。PERC电池发展到TOPcon电池，得益于遂穿氧化层与poly膜结构对金属接触的钝化作用，极大的降低了背面金属接触下的复合。而随着表面复合速率的日益降低，体材料的寿命逐渐变成了制约电池效率提升的关键因素。而相比P型掺杂的硅材料，N型掺杂的硅材料在相同的电阻率下，掺杂浓度低，杂质含量少，因而具有寿命高的优势。因此，在太阳能电池片市场中，N型电池占比日益提高。

对于N型电池，在金属化制作电极中，一般只使用银浆(以下称，Ag)作为电极，用来收集光照下电池表面移除的电子并将它们传输到外电路。Ag与硅接触电阻一直比较高，这一情况尤其存在于N型电池的背面。为了获得好的表面钝化效果和增加背面对长波的内发射，提高正面电流，N型电池背面往往采用抛光结构，制作平坦的表面，这十分不利于Ag电极的接触。而对比绒面结构，绒面有着更高的比表面积，与金属接触的面积更大，非常有利于接触。所以往往绒面结构的接触电阻会较抛光面的接触电阻小很多。同样的，绒面的表面比较粗糙，不利于膜层的钝化。因而表面钝化和表面金属接触很难兼顾，二者相互矛盾。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型的目的在于提供一种N型电池结构。本实用新型提供的新型的N型电池结构，可以兼顾表面的钝化与金属下的接触，实现降低表面复合的同时，降低金属位置的接触电阻率。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供一种N型电池结构，包括N型硅体材料及形成于所述N型硅体材料表面的金属栅线电极，所述N型硅体材料的背面设有绒面部分及抛光面部分，所述金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置位于所述绒面部分内。

本实用新型的N型电池结构限定金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置位于所述绒面部分内，并使硅体材料背面存在抛光面部分，用于膜层钝化。背面金属栅线电极采用绒面结构，增大了金属栅线与硅的接触面积，改善接触电阻；抛光区域的平坦表面，能够改善背面钝化效果，降低表面复合速率，同时增强对长波的内反射，提高正面电流。

本实用新型所述绒面结构例如可以是本领域常用的金字塔绒面结构。

更优选地，金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置为绒面，未接触的位置为抛光面，可以更好地实现上述改善接触电阻以及降低表面复合塑料的优点。

优选地，所述N型电池还包括依次位于所述N型硅体材料正面的pn结层、钝化层、减反射层和正面电极，以及依次位于所述N型硅体材料背面的量子隧穿层、P掺杂的多晶硅层、保护层和金属栅线电极；其中，正面电极与钝化层接触，金属栅线电极与P掺杂的多晶硅层接触。

此优选技术方案中，在N型硅体材料的背面和金属栅线电极之间具有量子隧穿层、P掺杂的多晶硅层和保护层，量子隧穿层和P掺杂的多晶硅层的厚度之和小于绒面的高度，且金属栅线电极与P掺杂的多晶硅层接触，故不影响金属栅线电极与N型硅体材料接触的位置为绒面。

优选地，所述N型硅体材料背面的绒面高度为0.5μm～5μm，例如0.5μm、 1μm、1.5μm、2μm、2.3μm、2.5μm、2.8μm、3μm、3.5μm、4μm或5μm等。