[实用新型]一种晶圆抛光垫及晶圆抛光装置

说明书

本实用新型提供了一种晶圆抛光垫，所述晶圆抛光垫包括转动部件、抛光部件与夹持部件；所述夹持部件将抛光部件固定于转动部件，使转动部件与抛光部件同轴转动；所述抛光部件包括用于设置夹持部件的凹槽，凹槽的深度大于夹持部件的厚度。本实用新型通过夹持部件将抛光部件固定于转动部件，提高了固定效果，能够使抛光部件随转动部件同轴转动。从而保证了高转速下抛光部件对晶圆的抛光效果。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种晶圆抛光垫及晶圆抛光装置。

背景技术

在集成电路的制造过程中，随着特征尺寸的缩小和金属互联层数的增加，对晶圆表面平整度的要求也原来越高，化学机械抛光是目前最有效的全局平坦化技术。

化学机械抛光工艺(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的晶圆片或其它衬底材料进行平滑处理。包括化学过程和物理过程。其中，化学过程中研磨液中的化学品和晶圆片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；物理过程是研磨液中的磨粒和晶圆片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。

现有的研磨装置包括：下方设有限位环的研磨头、研磨垫、研磨液供应管以及研磨垫清洗液供给管，研磨头设置于研磨垫的上方，研磨液供给管的研磨液出液口与所述研磨垫清洗液供给管的清洗液出口分别设置研磨垫的上方，研磨液供应管与研磨垫清洗液供给管并排设置于可移动支架，研磨液供应管用于供应研磨液，研磨垫清洗液供给管用于对研磨垫进行清洗。当对晶圆进行研磨工艺时，要将研磨的晶圆附着在研磨头上，该晶圆的待研磨面向下并接触相对旋转的研磨垫，研磨垫粘贴于研磨平台，当研磨平台在马达带动下旋转时，研磨垫跟随研磨平台转动；同时，研磨液通过研磨液供应管输送到研磨垫上，并通过离心力均匀的分布于研磨垫上。

CN 103302587 A公开了一种化学机械研磨装置及系统，包括：固定在所述抛光台上的抛光垫；抛光头，抛光头的端面用于与抛光垫配合研磨晶圆；夹持环，设置于抛光头端面的边缘用于夹持晶圆。CN 202491166 U公开了一种提高晶圆研磨均匀性的研磨头和研磨装置，研磨头包括下方带有限位环的研磨头本体，还包括设置于研磨头上的限位环冷却装置，通过增设限位环冷却装置，可以在晶圆的研磨过程中对限位环的温度进行控制，使晶圆在研磨过程中与周围区域和中心的温度趋于一致。

CN 208231541 U公开了一种晶圆研磨头及化学机械研磨机，化学机械研磨机内设置研磨垫，包括研磨头本体上连接通气管路；连接环，与研磨头本体连接，连接环的内边缘设置第一螺纹；第一固定环与连接管连接，与通气管路相同形成固定晶圆的腔体，第一固定环的外边缘的上部分设置于第一螺纹相匹配的第二螺纹；第二固定环，设置于第一固定环的外边缘的下部分，第二固定环的底部与第一固定环的底部相持平。

但在实际化学机械抛光过程中，存在多种原因引起晶圆表面或亚表面的破损、坍塌等缺陷，抛光头对晶圆施加的压力是产生缺陷的原因之一，同时，抛光垫对晶圆的磨损也是晶圆产生缺陷的重要原因，上述现有技术仅对固定晶圆的抛光头进行研究，并未对抛光垫部分进行研究改进。

因此，提供一种对抛光垫进行改进的抛光装置，尤其提供一种对晶圆表面磨损少、不易划伤晶圆表面的抛光垫结构，对于提高晶圆抛光效果具有重要的意义。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种晶圆抛光垫及晶圆抛光装置，所述晶圆抛光垫便于拆卸，且不易磨损晶圆，能够快速对晶圆进行抛光，保证抛光的质量。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

第一方面，本实用新型提供了一种晶圆抛光垫，所述晶圆抛光垫包括转动部件、抛光部件与夹持部件。

所述夹持部件将抛光部件固定于转动部件，使转动部件与抛光部件同轴转动。

所述抛光部件包括用于设置夹持部件的凹槽，凹槽的深度大于夹持部件的厚度。