[实用新型]一种高压LED芯片

权利要求书

1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、N电极、P电极、连接电极和桥接强化层；

所述N电极和P电极设置在发光结构上，所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流；

所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间。

2.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述Cr层的厚度为20～50埃，Ti层的厚度为500～2000埃，Pt层的厚度为500～2000埃，Au层的厚度为5000～30000埃。

3.如权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述Cr层的厚度为25～40埃，Ti层的厚度为800～1500埃，Pt层的厚度为500～1000埃，Au层的厚度为5000～20000埃。

4.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括外延层和透明导电层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层上，所述N电极设置在第一半导体层上，所述P电极设置在透明导电层上。

5.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，发光结构之间设有隔离槽，所述发光结构和隔离槽上设有绝缘层；

所述连接电极设置在绝缘层上，所述连接电极包括桥接部和连接部，所述桥接部位于隔离槽上，所述连接部与桥接部连接，所述桥接强化层设置在桥接部上。

6.如权利要求4所述的高压LED芯片，其特征在于，还包括设置在衬底背面上的抗应力层，所述抗应力层用于防止芯片因高温发生翘曲。

7.如权利要求6所述的高压LED芯片，其特征在于，所述抗应力层由GaN制成。

8.如权利要求6所述的高压LED芯片，其特征在于，所述抗应力层包括GaN层、AlGaN层和AlN层，所述GaN层设置在衬底和AlGaN层之间，所述AlN层设置在AlGaN层上。

9.如权利要求6-8任一项所述的高压LED芯片，其特征在于，所述抗应力层的厚度为外延层厚度的1.0～1.2倍。