[实用新型]一种高压LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、设于发光结构上的N电极和P电极、连接电极、以及桥接强化层；所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间；所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流。本实用新型通过在连接电极上设置桥接强化层，使得只流经连接电极的电流可以分流到桥接强化层，以减少脉冲电流对连接电极桥接部的冲击，从而提高芯片的抗脉冲电流冲击的能力。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高压LED芯片。

背景技术

现有的高压LED芯片多用于球泡灯、吸顶灯，对于家用照明，是一种极为普遍的LED芯片。家用电路常常会有电流脉涌的问题，容易造成高压LED芯片烧毁。

参见图1，图1是现有高压LED芯片的结构示意图，包括衬底10、若干个设于衬底10上的发光结构20、设于发光结构20上的N电极31和P电极32，其中，相邻两个发光结构之间的N电极31和P电极32通过连接电极33形成桥接，由于桥接34处比较薄弱，因此高于芯片容易在桥接处发生断裂。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高压LED芯片，在连接电极上设置桥接强化层，以强化连接电极。

本实用新型还要解决的技术问题在于，在连接电极上设置桥接强化层，对经过连接电极的电流进行分流。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高压LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、N电极、P电极、连接电极和桥接强化层；

所述N电极和P电极设置在发光结构上，所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流；

所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间。

作为上述方案的改进，所述Cr层的厚度为20～50埃，Ti层的厚度为500～2000埃，Pt层的厚度为500～2000埃，Au层的厚度为5000～30000埃。

作为上述方案的改进，所述Cr层的厚度为25～40埃，Ti层的厚度为800～1500埃，Pt层的厚度为500～1000埃，Au层的厚度为5000～20000埃。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括外延层和透明导电层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层上，所述N电极设置在第一半导体层上，所述P电极设置在透明导电层上。

作为上述方案的改进，发光结构之间设有隔离槽，所述发光结构和隔离槽上设有绝缘层；

所述连接电极设置在绝缘层上，所述连接电极包括桥接部和连接部，所述桥接部位于隔离槽上，所述连接部与桥接部连接，所述桥接强化层设置在桥接部上。

作为上述方案的改进，还包括设置在衬底背面上的抗应力层，所述抗应力层用于防止芯片因高温发生翘曲。

作为上述方案的改进，所述抗应力层由GaN制成。

作为上述方案的改进，所述抗应力层包括GaN层、AlGaN层和AlN层，所述GaN层设置在衬底和AlGaN层之间，所述AlN层设置在AlGaN层上。

作为上述方案的改进，所述抗应力层的厚度为外延层厚度的1.0～1.2倍。

实施本实用新型，具有如下有益效果：