[实用新型]一种高可靠性的阵列基板有效
申请号: | 201922295929.2 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN210668374U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 柳发霖;张泽鹏;马亮 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 许青华 |
地址: | 620500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可靠性 阵列 | ||
本实用新型公开了一种高可靠性的阵列基板,包括基板和依次由下往上覆盖在基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、以及ITO层;所述第一绝缘层和第二绝缘层上设有过孔,所述ITO层通过所述过孔实现第一金属层和第二金属层的电连接;所述过孔内填充有绝缘膜。本实用新型通过在过孔内填充绝缘膜,使得ITO层上增加一绝缘膜,保护ITO层,同时绝缘膜不影响显示,提高产品的可靠性,且不需要额外的光罩,节约成本。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种高可靠性的阵列基板。
背景技术
随着显示器制造技术的发展,薄膜晶体管液晶显示器因具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在电子设备中的到广泛使用。
在现有技术中,如图1所示,显示器的阵列基板一般包括基板和依次由下往上覆盖在基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、以及ITO层。第一绝缘层和第二绝缘层通过干法刻蚀或湿法刻蚀分别形成过孔,以实现第一金属层、第二金属层和ITO层之间的相互短接。对于第二金属层和ITO层的短接,通常在第二绝缘层刻蚀过孔,使ITO层和第二金属层在过孔位置直接接触,以实现其短接。而对于第一金属层和ITO层的短接,则需要同时在第一绝缘层和第二绝缘层的相同位置进行刻蚀过孔,以保证第一金属层的表面露出。
但本申请的发明人在实现本申请实施例的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题: ITO层作为桥接第一金属层和第二金属层的膜层,但因其防水性差,TFT完成模组后,水汽会穿过ITO层,导致金属层被腐蚀,最终使薄膜晶体管液晶显示器失效。
因此,提供一种高可靠性的阵列基板已经成为本领域亟待解决的技术问题。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种高可靠性的阵列基板。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种高可靠性的阵列基板,包括基板和依次由下往上覆盖在基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、以及ITO层;所述第一绝缘层和第二绝缘层上设有过孔,所述ITO层通过所述过孔实现第一金属层和第二金属层的电连接;所述过孔内填充有绝缘膜。
进一步地,所述第一金属层设于所述基板上,所述第一绝缘层设于所述第一金属层和基板上,所述第二金属层设于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层设于所述第二金属层和第一绝缘层上,所述ITO层设于所述第二绝缘层上且从所述第一金属层上延伸至所述第二金属层上。
进一步地,所述过孔包括错位设置的第一过孔和第二过孔,所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层。
进一步地,所述ITO层通过第一过孔和所述第一金属层电连接,通过第二过孔和所述第二金属层电连接。
进一步地,所述绝缘膜为有机膜或无机膜。
本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型通过在过孔内填充绝缘膜,使得ITO层上增加一绝缘膜,保护ITO层,同时绝缘膜不影响显示,提高产品的可靠性,且不需要额外的光罩,节约成本。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的结构示意图;
图2为本实用新型阵列基板的结构示意图。
图中:1、基板,2、第一金属层,3、第一绝缘层,4、第二金属层,5、第二绝缘层,6、ITO层,7、绝缘膜。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的