[实用新型]晶硅太阳能电池片

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池片，所述晶硅太阳能电池片包括基体片和设置在所述基体片的顶表面和底表面上的栅线，所述基体片包括：

P型硅片，所述P型硅片的顶表面为n型表面；

顶钝化层，所述顶钝化层设置在所述n型表面上，且所述顶钝化层为二氧化硅钝化层，

其特征在于，所述基体片还包括：

设置在所述P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力的隧穿层；

设置在所述隧穿层的底表面上且掺杂硼的底钝化层。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，

所述P型硅片的厚度为100μm-220μm；并且/或者

所述顶钝化层的厚度为1nm-20nm；并且/或者

所述隧穿层的厚度为0.5nm-2nm；并且/或者

所述底钝化层的厚度为40nm-250nm。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述底钝化层为掺杂硼的多晶硅薄膜层、掺杂硼的非晶薄膜层或掺杂硼的微晶薄膜层。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述顶钝化层的顶表面和所述底钝化层的底表面设置有减反膜。

5.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，

所述减反膜为由氮化硅制成的整体膜结构；或者

所述减反膜为由氮氧化硅制成的整体膜结构；或者

所述减反膜为氮氧化硅层和氮化硅层共同形成的叠层结构。

6.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述减反膜的厚度为70nm-200nm。

7.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述n型表面为含磷表面层。

8.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池片，其特征在于，所述隧穿层包括氧化铝层、氧化钼层、氧化锡层、氧化硅层和氧化镍层中的至少一者。