[实用新型]晶硅太阳能电池片

说明书

本实用新型涉及一种晶硅太阳能电池片。太阳能电池片包括基体片，基体片包括P型硅片、顶钝化层、隧穿层和底钝化层。隧穿层设置在P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力；底钝化层为掺杂硼的钝化层，底钝化层设置在隧穿层的底表面上。本实用新型提供了基于P型硅片的钝化结构，该结构与现有的PERC钝化技术兼容度较高，有利于太阳能电池片的产业化发展。本实用新型还提供了将具有空穴传输能力的材料作为隧穿层的方案，使得隧穿层在选择空穴的同时阻挡电子传输，优化电池性能。

技术领域

本实用新型涉及能源领域，尤其涉及一种晶硅太阳能电池片。

背景技术

随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。

在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。

目前，异质结太阳能电池由于具备转换效率高、制造工艺流程短、硅片薄片化、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效太阳能电池技术。但太阳能电池技术若要实现大规模发展也具有一定难度：一方面，异质结太阳能电池的制造成本相对较高，另一方面太阳能电池采用常规封装技术封装时，焊带拉力的稳定性难以控制，且一些太阳能电池不能采取传统晶体硅电池的高温焊接等工艺，需要低温焊接工艺和低温材料，因此封装工艺难度较高。

为了弥补以上缺陷，可以在一些场景下使用其他高效晶硅太阳能电池而不使用异质结太阳能电池。

近几年，各种新型晶硅技术层出不穷。目前市场上以PERC太阳能电池为主，主流量产效率可以超过22％，然而PERC太阳能电池转换效率再往上提升会受到较多限制。目前一种新型的钝化接触结构可以在现有PERC技术基础上通过叠加2-3道工序将电池转换效率提升至23％以上。钝化接触技术由于与现有的PERC技术兼容性强，越来越受到市场和各研究机构的青睐。

然而，现有的钝化接触技术是基于在N型晶硅而完成的，但是由于N型硅片成本比P型硅片高，且目前市场上九成以上的量产电池技术都是基于P型硅片，若改造N型的钝化接触技术，需要增加硼扩散或者离子注入等技术，从而增加了电池制造成本，从而不利于钝化接触电池技术的发展。

因而需要提供一种晶硅太阳能电池片及其制造方法，以至少部分地解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种晶硅太阳能电池片，其提供了基于P型硅片的钝化结构，该结构与现有的PERC钝化技术兼容度较高，有利于太阳能电池片的产业化发展。本实用新型还提供了将具有空穴传输能力的材料作为隧穿层的方案，使得隧穿层在选择空穴的同时阻挡电子传输，优化电池性能。

并且，本实用新型所提供的晶硅太阳能电池片结构较为简单、易于生产制造，本实用新型所提供的制造方法工艺路线简单、易于实现。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种晶硅太阳能电池片，所述晶硅太阳能电池片包括基体片和设置在所述基体片的顶表面和底表面上的栅线，所述基体片包括：

P型硅片，所述P型硅片的顶表面为n型表面；

顶钝化层，所述顶钝化层设置在所述n型表面上，且所述顶钝化层为二氧化硅钝化层；

隧穿层，所述隧穿层设置在所述P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力；