[实用新型]一种晶圆贴蜡装置有效
申请号: | 201922304846.5 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN210778515U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 张二摞;沈思情;李洪亮;张俊宝;陈猛 | 申请(专利权)人: | 上海超硅半导体有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 201617 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆贴蜡 装置 | ||
本实用新型提供了一种晶圆贴蜡装置,所述装置包括施压部、连接部和手持部,所述连接部的一端连接到施压部的中部,另一端连接到手持部的中部,所述装置整体呈工字型结构;所述施压部呈圆柱形。本实用新型所述装置能够在手动操作下对晶圆表面均匀施压,简单快速地得到均匀的贴蜡面,有效避免贴蜡不牢固或因压力过大而造成晶圆破裂的问题;所述装置结构简单,操作灵活简便,可有效提高晶圆贴蜡的成功率,特别适合于晶圆片的小规模制备或者机器故障时的应急使用。
技术领域
本实用新型属于晶圆制造技术领域,涉及一种晶圆贴蜡装置。
背景技术
在半导体生产工艺流程中,晶圆贴蜡是一道重要工序,对晶圆的化学机械抛光以及划片工序都会有重要影响。晶圆贴蜡工艺主要包括贴蜡前加热、上贴蜡片、下蜡三个步骤,在晶圆贴蜡工艺中,先在陶瓷盘上涂蜡融化,再将晶圆贴蜡,加压冷却,即晶圆贴蜡。
晶圆贴蜡工艺通常由贴蜡机来完成,采用加压冷却贴蜡的方式,在该过程中,晶圆置于融化的蜡上,往往会产生气泡,晶圆尺寸越大,气泡也越多,平整度受到影响,造成贴蜡不牢固,若直接加压冷却,易造成晶圆破碎以及平整度难以控制的问题;另外也有采用气囊贴蜡的方式,气囊置于晶片上部,气囊在气缸推力的作用下缓慢将晶片压实,但是气囊为半球形,首先是气囊最底部先接触晶片,且晶片中心部受力最大,易造成晶片破碎;蜡熔化后,利用气缸压力推动气囊压实晶片时,晶片周围空气易造成上蜡气泡,压实晶片过程中会在晶片表面产生气泡,影响晶片贴蜡的成品率。
CN 110400771A公开了一种用于三寸晶圆贴蜡的方法,首先在恒温加热台上放置陶瓷盘,加热至设定温度60℃后,用蜡棒在陶瓷盘上涂蜡;将晶圆放置于蜡层上,升温至80℃,用无尘纸团按压晶圆并在上下左右四个方向进行移动;用无尘纸团按压晶圆的圆心位置并以圆心为中心点绕圆心打圈;重复按压步骤直至气泡直径小于1mm;用抽真空装置抽吸剩余气泡,然后采用贴蜡机进行冷却加压,得到贴蜡晶圆。该专利虽然能够进行较大尺寸的晶圆贴蜡,但其仍采用加压冷却的方式,存在因压力过大而出现裂纹的问题。
CN 104332432A公开了一种新型贴蜡装置及其加工方法,所述装置包括可转动的陶瓷盘,所述陶瓷盘的上方设置有可移动的平胶垫,所述平胶垫下固定设置有真空密封圈,所述真空密封圈侧边设置有多个真空孔,所述真空孔连接真空管的一端,所述真空管的另一端与真空泵连接,所述真空管上还设置有阀门;该装置主要通过抽真空的方式去除气泡,但其所需控制操作较为精细,装置及操作成本较高,而且液态蜡容易粘附到平胶垫上。
综上所述,对于晶圆贴蜡过程中压力及蜡层均匀性的控制,还可以设计简单装置,用于小批量使用或者应急使用。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种晶圆贴蜡装置,所述装置可对晶圆表面均匀施压,简单快速地得到均匀的贴蜡面,所述装置结构简单,操作灵活简便,可有效提高晶圆贴蜡的成功率。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
本实用新型提供了一种晶圆贴蜡装置,所述装置包括施压部、连接部和手持部,所述连接部的一端连接到施压部的中部,另一端连接到手持部的中部,所述装置整体呈工字型结构;所述施压部呈圆柱形。
本实用新型中,所述装置主要用于晶圆贴蜡工艺过程中能够对晶圆多方位均匀施压,以使贴蜡面厚度均匀,粘贴牢固;其中主要功能组件为施压部,呈圆柱形,在转动过程中使晶圆面均匀受力,手持部则由操作人员控制,便于及时调节施加压力,使用方便,特别适合于晶圆片的小规模制备或者机器故障时应急使用。
以下作为本实用新型优选的技术方案,但不作为本实用新型提供的技术方案的限制,通过以下技术方案,可以更好地达到和实现本实用新型的技术目的和有益效果。
本实用新型中,所述装置的材质,尤其是施压部的材质可选择聚偏氟乙烯(PVDF),具有耐高温、抗化学腐蚀、机械强度高、耐蠕变性能好、滑动性和耐磨性能好等优点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造