[实用新型]异质结太阳能电池片有效
| 申请号： | 201922305148.7 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN211929501U | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 常青;姚骞;张家峰;马列;王秀鹏 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（眉山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 刘迎春 |
| 地址： | 620000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 太阳能电池 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括基体片和设置在所述基体片的顶表面、底表面上的栅线，所述基体片包括：
单晶硅片；
隧穿层，所述隧穿层设置在所述单晶硅片的底表面上；
N型钝化层，所述N型钝化层设置在所述隧穿层的底表面上；
P型钝化层，所述P型钝化层设置在所述单晶硅片的顶表面上；
透光导电层，所述透光导电层设置在所述P型钝化层的顶表面上。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型钝化层包括设置在所述单晶硅片的顶表面上的本征薄膜层和设置在所述本征薄膜层的顶表面上的P型薄膜层。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征薄膜层为本征非晶硅整体膜结构、本征微晶硅整体膜结构和本征纳米硅整体膜结构中的一者，所述P型薄膜层为P型非晶硅整体膜结构、P型微晶硅整体膜结构和P型纳米硅整体膜结构中的一者。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型钝化层包括掺杂多晶硅整体膜结构、掺杂碳化硅整体膜结构、或掺杂氧化硅整体膜结构。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型钝化层的厚度为2nm-40nm。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括在所述N型钝化层的底表面上的减反膜。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述减反膜为氮化硅整体膜结构或氮氧化硅整体膜结构，所述减反膜的厚度为70nm-200nm。
8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层为二氧化硅整体膜结构，所述隧穿层的厚度为0.8nm-3nm。
9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透光导电层包括氧化铟锡薄膜状层、掺钨氧化铟薄膜状层、氧化铟锌薄膜状层、氧化锌铝薄膜状层中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型钝化层的厚度为20nm-300nm。
11.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透光导电层为多层结构，各个所述透光导电层在所述P型钝化层的顶表面上层叠设置，并且在自所述P型钝化层到所述基体片的顶侧栅线的方向上，各个所述透光导电层的透光性递增。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
