[实用新型]异质结太阳能电池片

说明书

本实用新型涉及一种异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上；N型钝化层设置在隧穿层的底表面上；P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上；透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本实用新型中，将钝化接触和异质结两种技术结合起来，既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。并且，本实用新型的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜，从而可以有效避免底表面的磷绕镀到顶表面导致电池短路或失效的问题。

技术领域

本实用新型涉及能源领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池片。

背景技术

随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。

在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。

目前，异质结太阳能电池由于具备转换效率高、制造工艺流程短、硅片薄片化、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效太阳能电池技术。但太阳能电池技术若要实现大规模发展也具有一定难度：一方面，异质结太阳能电池的制造成本相对较高，另一方面太阳能电池采用常规封装技术封装时，焊带拉力的稳定性难以控制，且一些太阳能电池不能采取传统晶体硅电池的高温焊接等工艺，需要低温焊接工艺和低温材料，因此封装工艺难度较高。

为了弥补以上缺陷，可以在一些场景下使用其它高效晶硅太阳能电池而不使用异质结太阳能电池。

近几年，各种新型晶硅技术层出不穷。目前市场上以PERC太阳能电池为主，主流量产效率可以超过22％，然而PERC太阳能电池转换效率再往上提升会受到较多限制。目前一种新型的钝化接触结构可以在现有PERC技术基础上通过叠加2-3道工序将电池转换效率提升至23％以上。钝化接触技术由于与现有的PERC技术兼容性强，越来越受到市场和各研究机构的青睐。

一方面，现有的用于普通晶硅太阳能电池片的钝化接触技术是基于在N晶硅背面先制备一层二氧化硅隧穿层，再制备N型多晶硅钝化薄膜，但是在沉积掺杂多晶硅薄膜过程容易导致正面的PN结被绕镀，从而导致电池短路或失效，需要增加额外的清洗工艺。

另一方面，现有的异质结技术虽然制备流程简单，但制造非晶硅薄膜的设备成本高昂，相应的透明导电薄膜价格昂贵，都阻碍了这两种技术的产业化发展。

因而需要提供一种新颖异质结太阳能电池片及其制造方法，以至少部分地解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种具有钝化接触结构的异质结太阳能电池，其将钝化接触和异质结两种技术结合起来，既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。

并且，本实用新型的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜，从而可以有效避免底表面的磷绕镀到顶表面导致电池短路或失效的问题。

同时，本实用新型所提供的异质结太阳能电池与传统P型PERC 电池兼容度高，具有实际应用前景；本实用新型所提供的异质结太阳能电池片结构较为简单、易于生产制造，本实用新型所提供的制造方法工艺路线简单、易于实现。