[实用新型]一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置

权利要求书

1.一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：包括膜堆、阳极板、阴极板；所述阳极板、阴极板分别位于所述膜堆两侧，所述阳极板与所述膜堆之间设置有阳极池，所述膜堆、阴极板之间设置有阴极池；所述膜堆内设置有两个单元电渗析池；所述单元电渗析池的结构相同，所述单元电渗析池从左到右包括液室、酸室、料室、碱室并且分别通过磁力泵与外界的储槽相连通，然后再由膜堆上的出料口返回到外界的储槽内，构成一个独立的内循环。

2.根据权利要求1所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述单元电渗析池还包括膜组，所述膜组包括双极膜一、阳离子交换膜一、阴离子交换膜、阳离子交换膜二、双极膜二；所述双极膜一、阳离子交换膜一、阴离子交换膜、阳离子交换膜二、双极膜二分别设置在所述阳极池与液室、液室与酸室、酸室与料室、料室与碱室、碱室与阴极池之间。

3.根据权利要求2所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述双极膜一、阳离子交换膜一、阴离子交换膜、阳离子交换膜二、双极膜二中的每两张膜间由一张隔板分开。

4.根据权利要求3所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述隔板的厚度为0.7mm。

5.根据权利要求2所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述双极膜一、双极膜二的厚度为0.2mm。

6.根据权利要求2所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述阳离子交换膜一的厚度为0.13mm。

7.根据权利要求2所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述阴离子交换膜的厚度为0.16-0.23mm。

8.根据权利要求2所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，其特征在于：所述阳离子交换膜二的厚度为0.16-0.23mm。