[实用新型]一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置

说明书

本实用新型公开了一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，包括膜堆、阳极板、阴极板；所述阳极板、阴极板分别位于所述膜堆两侧，所述阳极板与所述膜堆之间设置有阳极池，所述膜堆、阴极板之间设置有阴极池；所述膜堆内设置有两个单元电渗析池；所述单元电渗析池的结构相同，所述单元电渗析池从左到右包括液室、酸室、料室、碱室并且分别通过磁力泵与外界的储槽相连通，然后再由膜堆上的出料口返回到外界的储槽内，构成一个独立的内循环，本实用新型结构简单，成本低，制备的半导体化学品季铵碱纯度高，应用前景广泛。

技术领域

本实用新型属于化学品制备装置技术领域，具体涉及一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置。

背景技术

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

如今，半导体集成度已提高到亚微领域，以致半导体制造过程中,配线和氧化膜上附着的污染物(灰尘、金属离子等)会引起断路、短路、或绝缘耐压不足等故障。因此，需采用化学品洗涤及光致抗蚀剂剥离等工序，半导休制造工艺中化学品主要用在洗涤(含干燥)、光印刷和蚀刻等工序，其中集成度、图形尺寸对化学品纯度提出一定的要求。

发明内容

为解决上述问题，本实用新型公开了一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，结构简单，成本低，制备的半导体化学品季铵碱纯度高，应用前景广泛。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，包括膜堆、阳极板、阴极板；所述阳极板、阴极板分别位于所述膜堆两侧，所述阳极板与所述膜堆之间设置有阳极池，所述膜堆、阴极板之间设置有阴极池；所述膜堆内设置有两个单元电渗析池；所述单元电渗析池的结构相同，所述单元电渗析池从左到右包括液室、酸室、料室、碱室并且分别通过磁力泵与外界的储槽相连通，然后再由膜堆上的出料口返回到外界的储槽内，构成一个独立的内循环。

作为本实用新型的一种改进，所述单元电渗析池还包括膜组，所述膜组包括双极膜一、阳离子交换膜一、阴离子交换膜、阳离子交换膜二、双极膜二；所述双极膜一、阳离子交换膜一、阴离子交换膜、阳离子交换膜二、双极膜二分别设置在所述阳极池与液室、液室与酸室、酸室与料室、料室与碱室、碱室与阴极池之间。

作为本实用新型的一种改进，所述双极膜一、阳离子交换膜一、阴离子交换膜、阳离子交换膜二、双极膜二中的每两张膜间由一张隔板分开。

作为本实用新型的一种改进，所述隔板的厚度为0.7mm。

作为本实用新型的一种改进，所述双极膜一、双极膜二的厚度为0.2mm。

作为本实用新型的一种改进，所述阳离子交换膜一的厚度为0.13mm。

作为本实用新型的一种改进，所述阴离子交换膜的厚度为0.16-0.23mm。

作为本实用新型的一种改进，所述阳离子交换膜二的厚度为0.16-0.23mm。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型所述的一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析装置，结构简单，成本低，制备的半导体化学品季铵碱纯度高，应用前景广泛。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

附图标记列表：