[实用新型]一种臭氧气源供应系统有效
申请号: | 201922309442.5 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN211716246U | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 陶俊;石烨炜;薛帅;陈磊;孔祥才 | 申请(专利权)人: | 无锡琨圣科技有限公司 |
主分类号: | F17D1/02 | 分类号: | F17D1/02;C01B13/11;C01B33/12 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 臭氧 供应 系统 | ||
本实用新型公开了一种臭氧气源供应系统,涉及氧化硅薄膜的制备,包括有臭氧发生器、尾气处理系统、储存瓶、反应室,氧气通过主管路在V1阀的控制下通入臭氧发生器,臭氧发生器产生的臭氧通过V2阀通入超纯水的储存瓶,所述储存瓶外装有液位感应器,V3阀一端管路接通储存瓶,另一端管路接通主管路,V5阀设置V2阀、V3阀之间的主管路上,臭氧与高纯水混合后一同通入反应室,所述尾气处理系统通过V6阀与主管路接通,为了对主管路进行高压保护。本实用新型工艺时间短、薄膜质量高、有效提升单机产能,提升电池效率。臭氧气体通源管路直接和水蒸汽结合在一条管路上,可携带供应也可单独供应气源控制方便。
技术领域
本实用新型涉及氧化硅薄膜的制备技术领域,尤其涉及一种臭氧气源供应系统。
背景技术
在晶硅太阳电池的制备过程中包含一步氧化工序,其目的是在晶硅表面制备一层氧化硅薄膜,实现对晶硅表面的钝化从而减少光生电子的复合以提升效率。现有的处理方式主要有两种,一种是湿法氧化法,即将硅片与高温纯HNO3进行氧化反应制备,另一种是干法氧化法,即热氧化方式,将硅片放置于800度以上高温氧气氛围内反应生成氧化硅。但是这两种方式都有一定的缺点,硝酸湿氧化法一方面是环保性较差涉及到氨氮排放,另外其生长出的薄膜较疏松,容易引入其它复合中心表面因此钝化效果不好。干法氧化法主要的缺点在于氧化硅生长速率太慢,产能太低不利于工业化的量产。
主要存在下述缺点(1)现有湿法硝酸氧化法不环保,制备的氧化硅不致密,电池效率低。(2)干法热氧化,工艺时间太长,量产成本高。
(3)常规通源系统臭氧和水蒸汽单独通入,系统复杂难控制。
本实用新型提出了一种适用于晶硅电池量产的新的氧化方案,即臭氧(O3)/水蒸汽Water混合氧化方案,实验验证相较于800度以上的干氧化速率硅片在臭氧水蒸气和450度左右的中低温高温环境下氧化速率可以大幅提升,同时氧化硅拥有很好的致密性和硅表面晶格匹配系数更好因此可以保证良好的钝化效果。针对此氧化工艺的设备本实用新型设计了一种臭氧气源供应系统,臭氧发生器产生的高浓度臭氧气体通过特气管路在多个阀和传感器的作用下携同水汽一起通入反应室内(石英管式炉)内。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种臭氧气源供应系统。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种臭氧气源供应系统,包括有臭氧发生器、尾气处理系统、储存瓶、反应室,氧气通过主管路在V1阀的控制下通入臭氧发生器,臭氧发生器产生的臭氧通过V2阀通入超纯水的储存瓶,所述储存瓶外装有液位感应器,V3阀一端管路接通储存瓶,另一端管路接通主管路,V5阀设置V2阀、V3阀之间的主管路上,臭氧与高纯水混合后一同通入反应室,所述尾气处理系统通过V6阀与主管路接通,实现对主管路进行高压保护。
进一步的技术方案,所述储存瓶还连通有水槽,V4阀设置在水槽与储存瓶管路之间。
进一步的技术方案,所述储存瓶材质采用石英材质。
进一步的技术方案,所述V1阀、V2阀、V3阀、V4阀、V5阀、V6阀与管路连接处设有密封圈,所述密封圈采用全氟橡胶材质。
进一步的技术方案,所述主管路、及管路采用1/4管径的不锈钢材料。
进一步的技术方案,所述液位感应器型号采用VP02E。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果:
本实用新型工艺时间短,薄膜质量高,有效提升单机产能,提升电池效率,臭氧气体通源管路直接和水蒸汽结合在一条管路上,可携带供应也可单独供应气源,系统结构简单,控制方便。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种臭氧气源供应系统流程图。
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