[实用新型]一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件有效
申请号: | 201922309665.1 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN211295114U | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 周家枝 | 申请(专利权)人: | 沈阳中凯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/024;H01L31/02 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 孙奇 |
地址: | 110031 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 承载 衬底 结构 光电子 半导体器件 | ||
1.一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件,包括底板(1)、固定孔(2)、衬底结构的光电子半导体器件(3)、外壳(4)、承载膜(5)、引脚(8)、散热板(9)和固定槽(10);其特征在于:所述底板(1)固定设置在外壳(4)下端面;所述外壳(4)固定设置在底板(1)上端;所述散热板(9)固定设置在固定槽(10)中,设置在外壳(4)两侧;所述引脚(8)共设置有三个,设置在外壳(4)侧壁中;所述衬底结构的光电子半导体器件(3)固定设置在底板(1)上,设置在外壳(4)中,包括绝缘层(11)、隔离部(12)、背栅区(13)、半导体层(14)、介质层(15)、栅介质层(16)、接触插塞(17)、背栅插塞(18)、隔离结构(19)、绝缘体(20)和衬底(21);所述衬底(21)固定设置在底板(1)上;所述绝缘层(11)设置在衬底(21)上端;所述隔离部(12)分布设置在绝缘层(11)上端;所述背栅区(13)设置在隔离部(12)之间,背栅区(13)采用P型掺杂;所述绝缘体(20)设置在隔离部(12)和背栅区(13)上端;所述半导体层(14)设置在绝缘体(20)上,半导体层(14)对应背栅区的部分上形成有半导体结构;所述隔离结构(19)设置在绝缘体(20)上端,且设置在半导体层(14)一侧;所述介质层(15)形成在半导体层(14)上,从而实现半导体结构之间的相互隔离,以及半导体结构与后续形成在半导体结构上方的金属互连层的相互隔离;所述栅介质层(16)设置在介质层(15)上端;所述背栅插塞(18)贯穿介质层(15)、隔离结构(19)和绝缘体(20)与背栅区(13)连接电性连接;所述接触插塞(17)贯穿介质层(15)与半导体层(14)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件,其特征在于:所述底板(1)采用电工板材质,底板(1)上设置有四个固定孔(2)。
3.根据权利要求1所述的一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件,其特征在于:所述外壳(4)两侧壁中设置有固定槽(10)。
4.根据权利要求1所述的一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件,其特征在于:所述承载膜(5)固定设置在外壳(4)内壁上,包括PET基材层(6)和压敏胶层(7);所述压敏胶层(7)设置有两层,一层设置在外壳(4)内壁上,另一层设置在PET基材层(6)上;所述PET基材层(6)内侧面设置在两层压敏胶层(7)之间。
5.根据权利要求1所述的一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件,其特征在于:所述散热板(9)采用铝材质。
6.根据权利要求1所述的一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件,其特征在于:所述引脚(8)处于同一水平线上,相邻两引脚(8)之间的间距相等,引脚(8)与衬底结构的光电子半导体器件(3)电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的