[实用新型]软性电阻电容复合铜膜结构

权利要求书

1.一种软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于，包括：

一第一导电金属层；

一第一电阻层，其一表面结合至该第一导电金属层的一表面，且其由镍、铬、钨、镍金属化合物、铬金属化合物、钨金属化合物、镍基合金、铬基合金、或钨基合金制成；

一第一介电层，其一表面结合至该第一电阻层的另一表面；

一可挠折支持层，其一表面结合至该第一介电层的另一表面；

一结着层，其一表面结合至该可挠折支持层的另一表面；以及

一第二导电金属层，其形成于该结着层的另一表面之上。

2.根据权利要求1所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

所述第一介电层包括：

一第一介电材料，其具有第一介电常数和第一损失因子；

一第二介电材料，其具有第二介电常数和第二损失因子，且其作为一介电常数调整剂；以及

一高分子黏结材料，其中，以该高分子黏结材料黏结该第一介电材料与该第二介电材料之后，获得一半固化型介电材料，该半固化型介电材料经一压锭烧结制程后成为所述第一介电层。

3.根据权利要求2所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，在经历一烧结制程之后，该第一介电材料的第一介电常数大于999，且其所述第一损失因子小于0.029，且该第一介电材料可为下列任一者：钛酸钡、掺杂氧化铅(PbO)的钛酸钡、掺杂氧化钇(Y₂O₃)的钛酸钡、掺杂氧化镁(MgO)的钛酸钡、或掺杂氧化钙(CaO)的钛酸钡。

4.根据权利要求2所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，在历经一烧结制程之后，该第二介电材料的第二介电常数小于5，且其所述第二损失因子小于0.01，且该第二介电材料可为下列任一者：聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTFE)、或聚醚醚酮(PEEK)。

5.根据权利要求2所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，该第一介电层的介电常数大于8，且其损失因子小于0.02。

6.根据权利要求2所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，该高分子黏结材料具有一半固化特性，且其为下列任一者：环氧树脂(Epoxy)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚酰亚胺(PI)、或含磷树脂。

7.根据权利要求6所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，所述含磷树脂可为下列任一者：9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物或含磷双酚A酚醛树脂。

8.根据权利要求2所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，该第一介电层进一步包含一硬化材料，且该硬化材料可为下列任一者：交联剂、硬化促进剂、阻燃剂、流平剂、消泡剂、分散剂、防沉降剂、打底剂、界面活性剂、增韧剂或溶剂。

9.根据权利要求8所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，所述交联剂为一胺加成物，且该胺加成物可为下列任一者：二胺基二苯砜胺、酰肼、二酰肼、二氰胺、或己二酸二酰肼。

10.根据权利要求8所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，所述硬化促进剂可为下列任一者：咪唑、三氟化硼胺复合物、氯化乙基三苯基膦、2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、三苯基膦、或二甲基胺基吡啶。

11.根据权利要求8所述的软性电阻电容复合铜膜结构，其特征在于：

其中，所述阻燃剂可为下列任一者：双酚联苯磷酸盐、聚磷酸铵、对苯二酚-双-(二苯基磷酸盐)、三(2-羧乙基)膦、三(异基氯)磷酸盐、三甲基磷酸盐、二甲基-甲基磷酸盐、间苯二酚双二甲苯基磷酸盐、聚磷酸三聚氰胺、磷氮基化合物、或偶磷氮化合物。