[实用新型]运载装置有效
申请号: | 201922314128.6 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN210722982U | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 庄文杰 | 申请(专利权)人: | 中勤实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运载 装置 | ||
1.一种运载装置,其特征在于,适于容纳至少一物件,包括:
盒体,所述盒体的两相对侧壁分别具有至少一沟槽,且一个所述侧壁上的所述至少一沟槽与另一个所述侧壁上的所述至少一沟槽相互对应以接受所述至少一物件的两相对边缘分别由对应的所述沟槽的开口端进入,并沿所述沟槽内的移动路径移动;以及
至少两止挡件,可动地配置于所述侧壁,且其中一所述止挡件位于所述开口端与另一所述止挡件之间,各所述止挡件分别具有至少一止挡部,所述至少两止挡件适于相对于所述侧壁移动至第一位置以使所述至少一止挡部止挡于所述移动路径上,且所述止挡件适于相对于所述侧壁移动至第二位置而使所述至少一止挡部移离所述移动路径。
2.根据权利要求1所述的运载装置,其特征在于,一所述止挡件适于相对于另一所述止挡件移动。
3.根据权利要求1所述的运载装置,包括支撑件,其特征在于,所述支撑件可动地配置于所述盒体且适于同时将所述至少两止挡件支撑于所述第二位置,所述支撑件适于相对于所述盒体移动或转动而使各所述止挡件由所述第二位置被释放。
4.根据权利要求3所述的运载装置,其特征在于,所述支撑件具有支撑端,所述支撑端适于支撑各所述止挡件的受支撑端。
5.根据权利要求4所述的运载装置,其特征在于,设有所述两止挡件的所述侧壁具有至少一通孔,各所述止挡件的至少部分通过所述至少一通孔而突伸至所述盒体的外侧,且各所述止挡件的所述受支撑端位于或连接于所述止挡件突伸至所述盒体外侧的部分。
6.根据权利要求5所述的运载装置,其特征在于,至少一所述止挡件靠近所述支撑件的一端具有延伸区段,所述延伸区段往另一所述止挡件延伸,且具有所述延伸区段的所述止挡件的所述受支撑端位于或连接于所述延伸区段。
7.根据权利要求3所述的运载装置,其特征在于,所述支撑件配置于所述盒体的底部。
8.根据权利要求7所述的运载装置,其特征在于,所述盒体的底部设有至少三个动态定位销接座,且所述支撑件通过其中一所述动态定位销接座中央。
9.根据权利要求1所述的运载装置,其特征在于,所述至少一沟槽沿第一方向延伸,所述移动路径平行于所述第一方向,各所述止挡件适于沿垂直于所述第一方向的第二方向相对于所述侧壁移动。
10.根据权利要求9所述的运载装置,其特征在于,所述至少一止挡部沿所述第二方向的宽度小于等于所述至少一沟槽沿所述第二方向的宽度。
11.根据权利要求1所述的运载装置,其特征在于,所述至少一沟槽具有承载面,所述承载面适于承载所述至少一物件的所述边缘,位于所述第一位置时的各所述止挡件的所述至少一止挡部底缘与对应的所述沟槽的所述承载面间的距离小于所述物件在所述沟槽内的部分的厚度;位于所述第二位置时的各所述止挡件的所述至少一止挡部底缘与对应的所述沟槽的所述承载面间的距离大于所述物件在所述沟槽内的部分的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造