[实用新型]一种晶片承载盘及化学气相淀积设备有效
申请号: | 201922319293.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN211947213U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 刘凯;程凯 | 申请(专利权)人: | 苏州晶湛半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 承载 化学 气相淀积 设备 | ||
1.一种晶片承载盘,其特征在于,包括:
第一盘体,包括第一凹槽;以及
设置在所述第一凹槽中的第二盘体,所述第二盘体将所述第一凹槽分割成至少两个晶片承载槽;
所述第二盘体设置在所述第一盘体上的中心位置,其中,所述第一盘体和所述第二盘体之间可拆卸连接。
2.根据权利要求1所述的晶片承载盘,其特征在于,所述第二盘体和所述第一盘体拼接的部分的形状为以下形状中的一种或多种:直线、弧形和波浪形。
3.根据权利要求1所述的晶片承载盘,其特征在于,所述第二盘体将所述第一凹槽分割成至少三个晶片承载槽,至少三个所述晶片承载槽为圆形,其中至少三个所述晶片承载槽的中心连线构成一个正多边形。
4.根据权利要求3所述的晶片承载盘,其特征在于,至少三个所述晶片承载槽的尺寸为以下尺寸中的一种或多种:150mm、300mm和450mm。
5.根据权利要求1所述的晶片承载盘,其特征在于,所述第一盘体和所述第二盘体均为石墨制成。
6.一种化学气相淀积设备,其特征在于,包括反应腔室,其中上述权利要求1-5任一所述晶片承载盘设置在所述反应腔室内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的