[实用新型]一种晶片承载盘及化学气相淀积设备

说明书

本实用新型提供了一种晶片承载盘及化学气相淀积设备，解决了晶片承载盘中间很难进行烘烤，由于温度达不到清洗所需温度，导致石墨盘的清洗不干净的问题。包括：第一盘体，包括第一凹槽；以及设置在所述第一凹槽中的第二盘体，所述第二盘体将所述第一凹槽分割成至少两个晶片承载槽。

技术领域

本实用新型涉及工艺设备技术领域，具体涉及一种晶片承载盘及化学气相淀积设备。

背景技术

目前，衬底的制作工艺通常采用MOCVD(化学气相外延沉积工艺)技术进行，在MOCVD设备上设置有石墨盘，石墨盘的盘体上表面开设有若干个凹槽，在凹槽内对应放置一片衬底，通过MOCVD设备的加热单元，使得衬底上表面与来自于喷头的反应气体进行化学反应，从而在衬底表面沉积相应的外延材料层。在MOCVD中，会在石墨盘上形成坤化镓等物质的固体沉积。石墨盘上形成沉积物后，需要对其进行清洗。目前主要通过将石墨盘放到设备中进行烘烤，但是由于烘烤设备的设计原因，石墨盘中间很难进行烘烤，由于温度达不到清洗所需温度，所以会导致石墨盘的清洗不干净的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型供了一种晶片承载盘及化学气相淀积设备，解决了晶片承载盘中间很难进行烘烤，由于温度达不到清洗所需温度，导致石墨盘的清洗不干净的问题。

本实用新型一实施例提供的一种晶片承载盘及化学气相淀积设备包括：第一盘体，包括第一凹槽；以及设置在所述第一凹槽中的第二盘体，所述第二盘体将所述第一凹槽分割成至少两个晶片承载槽。

在一种实施方式中，所述第二盘体设置在所述第一盘体上的中心位置，其中，所述第一盘体和所述第二盘体之间可拆卸连接。

在一种实施方式中，所述第二盘体和所述第一盘体拼接的部分的形状为以下形状中的一种或多种：直线、弧形和波浪形。

在一种实施方式中，所述第二盘体将所述第一凹槽分割成至少三个晶片承载槽，至少三个所述晶片承载槽为圆形，其中至少三个所述晶片承载槽的中心连线构成一个正多边形。

在一种实施方式中，至少三个所述晶片承载槽的尺寸为以下尺寸中的一种或多种：150mm、300mm和450mm。

在一种实施方式中，所述第一盘体和所述第二盘体均为石墨制成。

一种化学气相淀积设备，包括反应腔室，其中上述任一所述晶片承载盘设置在所述反应腔室内。

本实用新型实施例提供的一种晶片承载盘及化学气相淀积设备，通过将晶片承载盘设置成第一盘体和第二盘体，可分别将第一盘体和第二盘体放入清洗设备中进行烘烤，解决了晶片承载盘中间很难进行烘烤，由于温度达不到清洗所需温度，导致石墨盘的清洗不干净的问题。

附图说明

图1所示为本实用新型一实施例提供的一种晶片承载盘的结构示意图。

图2所示为本实用新型一实施例提供的一种晶片承载盘的第一盘体的结构示意图。

图3所示为本实用新型一实施例提供的一种石墨盘的A-A’剖面结构示意图。

图4所示为本实用新型另一实施例提供的一种晶片承载盘的结构示意图。

图5所示为本实用新型另一实施例提供的一种晶片承载盘的结构示意图。

图6所示为本实用新型一实施例提供的一种晶片承载盘的清洗方法流程示意图。

附图标记说明：1第一盘体；2第二盘体；3第一凹槽。

具体实施方式