[实用新型]一种低压铝栅器件有效
| 申请号： | 201922322809.7 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN211455688U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 何伟业;李炜 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯域联合半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙) 44605 | 代理人： | 杨伦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压铝栅器件，其特征在于，包括：
在已生成源极、漏极、栅极及引线接触孔的MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；
在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；
在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。
2.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第一金属布线层的金属厚度为0.5um-0.7um。
3.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述隔离保护层由第一隔离层、沉淀在所述第一隔离层上的第二隔离层、以及沉淀在所述第二隔离层上的第三隔离层组成。
4.如权利要求3所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为0.3um-0.4um，所述第二隔离层的厚度为0.4um-0.5um，所述第三隔离层的厚度为1.0um-1.3um。
5.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第二金属PAD层的厚度为3.8um-4um。
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