[实用新型]一种低压铝栅器件

说明书

本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域，提供了一种低压铝栅器件，其中，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。本实用新型实施例能够缩小芯片面积、降低成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种低压铝栅器件。

背景技术

在集成电路工艺发展到深亚微米的今天，低压铝栅工艺依然没有被市场抛弃，是依靠其成本低廉、性价比高以及工艺简单的优势。但是在此工艺的基础上如何缩小芯片尺寸，从而降低其成本，使得现有的产品在市场更具有竞争力，一直被所有电子企业所关注。

为了缩小芯片尺寸，近年来众多企业一直把注意力及研发方向放在了如何缩小沟道尺寸，金属布线的宽度及接触孔的尺寸这些地方。但在芯片中占有最大面积的部分是用于打线的PAD(密封在电路板中的芯片管脚)，由此可见，不管如何缩小其它地方的尺寸，其芯片面积依然很大。可见，现有技术中，存在芯片面积大、成本高的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种低压铝栅器件，旨在解决芯片面积大、成本高的问题。

一种低压铝栅器件，包括：

在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；

在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；

在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。

更进一步地，所述第一金属布线层的金属厚度为0.5um-0.7um。

更进一步地，所述隔离保护层由第一隔离层、沉淀在所述第一隔离层上的第二隔离层、以及沉淀在所述第二隔离层上的第三隔离层组成。

更进一步地，所述第一隔离层的厚度为0.3um-0.4um，所述第二隔离层的厚度为0.4um-0.5um，所述第三隔离层的厚度为1.0um-1.3um。

更进一步地，所述第二金属PAD层的厚度为3.8um-4um。

本实用新型所达到的有益效果：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。本实用新型通过在MOS器件沉淀第一金属布线层以及第二金属PAD层，并在两者之间沉淀了隔离保护层，然后对第二金属PAD层进行刻蚀，形成打线PAD，将打线PAD布置在MOS器件上，实现对芯片面积的缩小、降低了成本，且设置隔离保护层又能够保证在打线后，PAD不会被打穿，保护了打线PAD下层的MOS器件。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种低压铝栅器件的平面结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种低压铝栅器件的横截面结构示意图；

图3是本申请实施例提供的现有技术低压铝栅器件的平面结构示意图；

图4是本申请实施例提供的现有技术低压铝栅器件的横截面示意图。

其中，1、MOS器件，2、第一金属布线层，3、第一隔离层，4、第二隔离层，5、第三隔离层，6、第二金属层。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。