[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201922329704.4 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN211238167U 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: F·G·齐格利奥利 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/495
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:

引线框架,所述引线框架具有被安装在所述引线框架上的至少一个半导体芯片;

绝缘封装的至少一个部分,在所述引线框架上的所述至少一个半导体芯片之上,所述至少一个部分由激光直接成型材料制成,所述激光直接成型材料被模制到被安装在所述引线框架上的所述至少一个半导体芯片上,所述绝缘封装的至少一个部分具有外表面;

至少一个导电构造,在所述绝缘封装的所述至少一个部分的外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸;以及

导电夹子,被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上,所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架,其中所述至少一个半导体芯片被定位在介于所述引线框架和所述导电夹子之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,包括:所述绝缘封装的至少一个另外部分,所述至少一个另外部分在所述至少一个半导体芯片之上,所述至少一个另外部分包括被模制到所述导电夹子上的封装模制材料,所述导电夹子被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,包括:

至少一个接触柱凸,所述至少一个接触柱凸被提供在所述至少一个半导体芯片上,所述至少一个接触柱凸在面向所述至少一个导电构造的位置中;

开口,所述开口在所述激光直接成型材料中,所述开口延伸到所述至少一个接触柱凸;以及

导电材料,所述导电材料填充所述开口以形成所述至少一个导电构造的至少部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,包括:

用于在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面处的所述导电夹子的安装叶片。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,包括:

至少一个导电线和/或带接合构造,所述至少一个导电线和/或带接合构造在所述引线框架与所述至少一个半导体芯片之间,所述至少一个导电线和/或带接合构造被嵌入在所述绝缘封装的所述至少一个部分中。

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