[实用新型]一种在金属栅工艺中用于监测凹陷和侵蚀效应的测试结构及测试电路有效
申请号: | 201922332505.9 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN212907648U | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 张飞虎;陆梅君;刘慧斌 | 申请(专利权)人: | 杭州广立微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王静 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 工艺 用于 监测 凹陷 侵蚀 效应 测试 结构 电路 | ||
1.一种在金属栅工艺中用于监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述测试结构包括至少两个密度不同的测试单元和焊盘,所述测试单元中间为待测图形,待测图形两边分别各放置至少一个环境图形;
所述的待测图形的一端共接到共享的焊盘,待测图形的另一端分别与各自的焊盘相连接。
2.根据权利要求1所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述测试结构中所有测试单元的待测图形相同。
3.根据权利要求1所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述同一测试单元的待测图形两侧的环境图形对称设置。
4.根据权利要求1所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述测试结构中所有测试单元所占面积相同,不同测试单元的环境图形的宽度相同,数量与间隔不同。
5.根据权利要求4所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述测试结构中不同测试单元的环境图形数量或间隔等差值递增或递减。
6.根据权利要求1所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述测试结构中所有测试单元所占面积相同,不同测试单元的环境图形数量相同,宽度与间隔不同。
7.根据权利要求6所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述测试结构中不同测试单元的环境图形之间的宽度或间隔等差值递增或递减。
8.根据权利要求1所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述所有待测图形的一端共接到一个共享的焊盘,每个待测图形的另一端分别与各自的一个焊盘相连接,即该测试结构用于二端法测试。
9.根据权利要求1所述的监测凹陷和侵蚀效应的测试结构,其特征在于,所述所有待测图形的一端共接到两个共享的焊盘,每个待测图形的另一端分别与各自的两个焊盘相连接,即该测试结构用于四端法测试。
10.一种监测凹陷和侵蚀效应的测试电路,其特征在于,所述测试电路包括权利要求1所述的测试结构、电压源及电流采集单元;所述电压源、电流采集单元通过测试结构的焊盘连接到测试结构的待测图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造