[实用新型]一种新型晶体生长设备

说明书

本实用新型提供了一种新型晶体生长设备包括：由下往上依次设置的籽晶部件、籽晶原点部件、上炉体、隔离阀、下炉体和下腔体结构，籽晶部件和籽晶原点部件皆设于上炉体的上部，隔离阀设于下炉体的上部，下炉体设于下腔体结构包括：工作台，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚；腔体结构，可拆卸的设于工作台上且腔体结构的容纳腔设于工作台的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台齐平，所述容纳腔包括侧板和底板，底板的底面轴线上依次设有排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰；下保温桶，设于侧板的外围，所述下保温桶的外壁设有护套，所述底板的下方设有托盘。本实用新型具有拉晶效率高，使用效果好的特点。

技术领域

本实用新型属于单晶技术领域，涉及一种新型晶体生长设备。

背景技术

晶体生长设备称之为拉晶炉、单晶炉或者半导体晶体生长炉，是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必要设备，而单晶硅又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的单晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。

在晶体生长的过程中，晶体生长设备的作用如下：在晶体制备过程中，通过新型晶体生长设备可制备出太阳能级或电子级单晶硅，可提高拉晶的整体效率，降低拉晶成本，为长晶环境提供更好的生长环境。但是现有技术的单晶炉制备出的单晶硅具备下述缺陷：不仅单晶硅的尺寸偏小，不能生长出大尺寸的单晶硅棒，而且拉晶效率也不高，最终导致拉晶成本过高。

综上所述，为解决现有的单晶炉的结构上的不足，本实用新型设计了一种结构简单、拉晶效率高的新型晶体生长设备。

发明内容

本实用新型为解决现有技术存在的问题，提供了一种结构简单、拉晶效率高的新型晶体生长设备。

本实用新型的目的可通过以下技术方案来实现：

一种新型晶体生长设备包括：由下往上依次设置的籽晶部件、籽晶原点部件、上炉体、隔离阀、下炉体和下腔体结构，籽晶部件和籽晶原点部件皆设于上炉体的上部，隔离阀设于下炉体的上部，下炉体设于下腔体结构包括：工作台，其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚；腔体结构，可拆卸的设于工作台上且腔体结构的容纳腔设于工作台的下方，所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台齐平，所述容纳腔包括侧板和底板，底板的底面轴线上依次设有排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰；下保温桶，设于侧板的外围，所述下保温桶的外壁设有护套，所述底板的下方设有托盘。

作为进一步的改进，所述坩埚轴接口法兰设于底板的圆心上，

所述排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰之间设有支撑梁，该支撑梁延伸至侧板的侧壁。

作为进一步的改进，所述底板与托盘之间设有底保温毡。

作为进一步的改进，相邻所述支撑脚之间设有横杆，所述横杆之间还设有T 型加强板。

作为进一步的改进，所述排气接口法兰内设有排气护套，所述坩埚轴接口法兰的接口上设有轴护套。

与现有技术相比，本实用新型的整体结构设计合理，通过在腔体结构的外侧和底部设置有保温层，且保温层的厚度可根据实际的需求，由设计者自定，其中外侧的保温层厚度即为下保温桶的厚度，底部的保温层厚度即为底保温毡的厚度。在单晶炉拉晶过程中，采用下腔体结构，有效的降低了拉晶功率，降低拉晶成本，彻底解决了原技术作业产生的带走热量多、拉晶功率高的现象，保证了热场温度梯度的均匀性，适合推广应用。

附图说明

图1是本实用新型中新型晶体生长设备的主视图。

图2是本实用新型中新型晶体生长设备的左视图。

图3是本实用新型中新型晶体生长设备的右视图。