[实用新型]一种叠层片式高频元件的内电极引出结构

权利要求书

1.一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，所述通孔层位于内电极层与所述引出层之间，所述引出层位于所述通孔层与端电极之间；

所述通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，所述第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；

所述引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，所述第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使所述第二导电结构在所述引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在所述引出层的另一面呈与多个第二通孔相一致的图案；

所述第二导电结构一面与所述第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过所述第一导电结构、所述第二导电结构引出至端电极。

2.如权利要求1所述的叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：所述预定图案的形状与多个第二通孔的排列形状相一致。

3.如权利要求2所述的叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：所述多个第二通孔的排列形状包括一字型、十字交叉型、T型或L型；其中，一字型排列包括平行于元件的棱的平行排列方式，或者与元件的棱形成角度的倾斜排列方式。

4.如权利要求1所述的叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：在元件的其中一个端电极A一端的内电极引出结构记为内电极引出结构A，相应的通孔层和引出层分别记为通孔层A、引出层A；在元件的另一个端电极B一端的内电极引出结构记为内电极引出结构B，相应的通孔层和引出层分别记为通孔层B、引出层B，则：

引出层A的所述其中一面与通孔层A接触、所述另一面与端电极A接触；引出层B的所述其中一面与端电极B接触、所述另一面与通孔层B接触。