[实用新型]一种叠层片式高频元件的内电极引出结构

说明书

本实用新型公开了叠层片式高频元件的内电极引出结构，包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，通孔层位于内电极层与引出层之间，引出层位于通孔层与端电极之间；通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使第二导电结构在引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在引出层的另一面呈与多个第二通孔一致的图案；第二导电结构一面与第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过第一导电结构、第二导电结构引出至端电极。

技术领域

本实用新型涉及叠层片式元件，具体涉及一种叠层片式高频元件的内电极引出结构。

背景技术

近十年来，信息、通信等行业发展迅速，实现了由3G通信到4G通信的普及应用。现在随着国内通信行业的崛起，国内5G通信的研发及推广已进入“白热化”竞争环境。作为电子产品基础的片式电子元件，业内需求的发展对其提出更高的要求，叠层片式元件趋于小型化、高频化及高可靠性化等方向。

叠层片式元件根据性能可分为电感器、磁珠、滤波器、电阻器、电容器等，大部分叠层片式元件的结构包括内电极线圈、端电极、层间介质层以及导通内电极线圈与端电极的引出层。磁珠作为叠层片式元件重要组成部分，可通过阻抗吸收并发热的形式将不需要频段的能量耗散。常规铁氧体磁珠存在尺寸大(最小尺寸1005)、参数一致性差、可靠性低等问题，无法满足通信发展对高频磁珠小型化、高可靠性要求。按照内电极叠层结构，铁氧体磁珠可分为两种内电结构，卧式结构(如图1)及立式结构(如图2)。对于单层介质层面积利用率，立式结构明显高于卧式结构，其可实现更高的内电极线圈有效面积，更适用于高频段滤波(GHz段)的叠层片式元件；同时其与电流相同方向的绕向线圈使立式磁珠有更优的EMI效果。常规磁珠引出结构主要由侧面引出，即连接层通过平面结构从介质层露出的边缘连接端电极，结构如图3所示。其优点在于引出点多，可避免引出单一导线与连接不良而导致产品失效，但存在显露总面积较少，无法保证与端电极引出连接充分，容易出现虚弱连接。当片式元件面对应用大电流时，此引出结构，有限的引出接触面积限制产品耐电流性能，严重时可导致可靠性下降、产品失效。同时常规立式结构引出结构为保证多点连接，平面结构存在多边交叉，约占介质层50％面积，在制备过程中很容易出现分层、开裂等工艺问题。因此应对叠层片式高频元件小型化需求，其传统的引出方式需改良，以满足叠层元件小型化趋势下发展高可靠性的趋势要求。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于克服上述现有技术的不足，提出一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，其引出内电极的引出层与端电极接触面积更大，可实现高可靠性、低成本的叠层片式元件引出结构。

为达上述目的，本实用新型提出以下技术方案：

一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，所述通孔层位于内电极层与所述引出层之间，所述引出层位于所述通孔层与端电极之间；所述通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，所述第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；所述引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，所述第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使所述第二导电结构在所述引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在所述引出层的另一面呈与多个第二通孔相一致的图案；所述第二导电结构一面与所述第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过所述第一导电结构、所述第二导电结构引出至端电极。

与现有的内电极引出方式相比，本实用新型的上述技术方案具有以下有益效果：内电极线圈两端引出的连接点(第一导电结构)与端电极之间的连接采用第二导电结构，实现与端电极的多点且大面积连接，使得迭层片式高频元件的可靠性得以大大提升。同时，引出层的连接点位置、数量以及连接面积可根据需要进行确定，设计更灵活。

附图说明