[实用新型]一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉有效
| 申请号： | 201922371683.2 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211734533U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李辉;穆童;郑锴;秦英谡;张熠 | 申请（专利权）人： | 南京晶升能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211113 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 材料 生长 用电 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体硅材料生长炉用电极，其特征在于，包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉。
2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于：铜电极的上方连接有升降杆。
3.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于：所述加热器连接螺钉、氮化硼绝缘件、陶瓷绝缘件、石英套管、铜电极、石墨电极同轴设置。
4.一种具有如权利要求1至3中任一项所述电极的生长炉，包括保温屏，位于保温屏中的加热器及坩埚，加热器围绕坩埚设置；其特征在于：所述加热器与铜电极通过加热器连接螺钉连接。
5.根据权利要求4所述的生长炉，其特征在于：还设有升降电机，所述升降杆与升降电机连接。
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