[实用新型]一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉

说明书

本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉，生长炉用电极包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉；该生长炉用电极通过多层绝缘，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。适用于需要升降在不同热量部分的情况。

技术领域

本实用新型属于硅晶体材料生长炉技术领域。

背景技术

石英陶瓷坩埚，全称为高纯熔融石英陶瓷坩埚(二氧化硅含量≥99.9％)。是以高纯熔融石英为原料做成的陶瓷质坩埚。一般情况下，其形状主要有方形和圆筒形。其中，方形的高纯石英坩埚用在多晶硅铸锭环节，充当多晶硅化料和长晶的容器；圆形的高纯石英坩埚则用在单晶硅中拉单晶的环节。高纯熔融石英由于具有结构精细、热导率低、热膨胀系数小、制成品尺寸精度高、高温不变形、热震稳定性好、电性能好、耐化学侵蚀性好等特点，因此在玻璃深加工行业、冶金工业、电子工业、化工工业、航空航天等领域得到广泛应用。

有一种长晶过程是坩埚位置不变，通过不断提升或下降加热器进行热场内加热的均匀，但是如果与加热器连接的电极也随着加热器升降，则电极的上方与下方的热量是不同的，则需要提供新的电极以适配该种升降方式。

实用新型内容

发明目的：本实用新型提供一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉，解决如何提供一种随着加热器升降适应不同热量的电极的问题。

技术方案：为达到上述目的，本实用新型可采用如下技术方案：

一种半导体硅材料生长炉用电极，包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉。

进一步的，铜电极的上方连接有升降杆。

进一步的，所述加热器连接螺钉、氮化硼绝缘件、陶瓷绝缘件、石英套管、铜电极、石墨电极同轴设置。

而具有上述电极的生长炉可采用以下技术方案，包括保温屏，位于保温屏中的加热器及坩埚，加热器围绕坩埚设置；其特征在于：所述加热器与铜电极通过加热器连接螺钉连接。

进一步的，还设有升降电机，所述升降杆与升降电机连接。

有益效果：相对于现有技术，本实用新型技术方案的优点为：

该生长炉用电极通过多层绝缘(氮化硼绝缘件、陶瓷绝缘件、石英套管)，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。适用于需要升降在不同热量部分的情况。

附图说明

图1是本实用新型中电极的结构示意图。

图2是本实用新型中生长炉的结构示意图。

具体实施方式

请结合图1所示，本实施例公开一种半导体硅材料生长炉用电极11，包括铜电极5、连接铜电极5下方的石英套管4、连接石英套管4下方的陶瓷绝缘件3、连接陶瓷绝缘件3下方的氮化硼绝缘件2、连接氮化硼绝缘件2下方的石墨电极6、连接石墨电极6下方的加热器连接螺钉1。所述加热器连接螺钉1、氮化硼绝缘件2、陶瓷绝缘件3、石英套管4、铜电极5、石墨电极6同轴设置。铜电极5的上方连接有升降杆7。

该电极11应用在生长炉中。如图2所示，生长炉包括保温屏8，位于保温屏8中的加热器9及坩埚10。加热器9围绕坩埚10设置。所述加热器9与铜电极5通过加热器连接螺钉1连接。该生长炉用电极通过多层绝缘(氮化硼绝缘件2、陶瓷绝缘件3、石英套管4)，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。生长炉设有升降电机(未图示)，所述升降杆7与升降电机连接，升降电机带动电极11上下移动，同时带动加热器9上下移动。