[实用新型]电压基准产生电路有效
| 申请号： | 201922373092.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN210924312U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 朱乐永 | 申请（专利权）人： | 上海芯圣电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201616 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 基准 产生 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种电压基准产生电路，其特征在于，所述电路包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，所述Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，此时，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。
2.根据权利要求1所述的电压基准产生电路，其特征在于，所述Trim电路包括n-1个开关，所述n-1个开关分别与第1个至第n-1个NMOS管并联连接，同时n-1个开关串联连接，通过控制n-1个开关的开合来调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比。
3.一种电压基准产生电路，其特征在于，所述电路包括n个串联连接的NMOS管，由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比使温度在室温时，近似为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。
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