[实用新型]电压基准产生电路

说明书

本实用新型提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。本实用新型包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，V_GS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。本实用新型还可以根据常用室温，确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，进而省略了Trim电路，在常用室温时使用。

技术领域

本实用新型涉及一种电压基准电路，属于电路设计领域。

背景技术

在传统的电路中，常用bandgap电路(带隙电压基准电路)来实现零温度系数的电压基准，bandgap电路是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。

但是bandgap电路有几个缺点：1.电路面积较大，bandgap电路在电路中一般占有很大的尺寸，不利于节约芯片的成本；2.功耗较大，一般bandgap中会用到运算放大器等电路，运算放大器等电路具有很大的功耗，因此不利于在低功耗下使用；3.bandgap的基准电压一般为1.2V，并且其工作电压一般也较高，这限制了芯片在低电压下的使用。

发明内容

针对上述不足，本实用新型提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路。

一种电压基准产生电路，所述电路包括n个串联连接的NMOS管，由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比使温度在室温时，近似为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，V_GS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。

本实用新型还提供一种电压基准产生电路，所述电路包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，所述Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，此时，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，V_GS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。

本实用新型的有益效果，本实用新型提供的第一种电压基准产生电路，在室温时实现零温度系数的电压基准电路，且在很宽的温度范围内，电路的输出电压范围变化很小。本实用新型提供的第二种电压基准产生电路根据当前温度，通过Trim电路调整n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，实现零温度系数的电压基准，本实用新型没有使用运输放大器，降低了功耗，简化了电路结构，减小了电路尺寸，降低了成本。

附图说明

图1为本实用新型的具体电路示意图；

图2为典型的bandgap电路的电压随温度变化的曲线；

图3为图1的一个具体实施例的电压随温度变化的曲线。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。