[实用新型]器件有效
| 申请号： | 201922397352.6 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN211879377U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | L·M·C·迪迪奥 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
1.一种器件，其特征在于，包括：
铜引线框架；
金属层，在所述铜引线框架的至少部分上；以及
金属氧化物层，在所述金属层上。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述引线框架的所述部分包括引线。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括：锡层，在所述金属氧化物层的至少第一部分上。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述金属层被布置在所述铜引线框架的第一侧上。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述金属层被布置在所述铜引线框架的第二侧上，所述铜引线框架的所述第二侧与所述铜引线框架的所述第一侧相反。
6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，还包括：模塑化合物，在所述金属氧化物层的至少第二部分上。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述金属层包括：镍、金或银。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述金属氧化物层包括：氧化镍、氧化金或氧化银。
9.一种器件，其特征在于，包括：
铜引线框架；
金属氧化物层，在所述铜引线框架的至少第一部分上；以及
锡层，在所述铜引线框架的至少第二部分上，所述金属氧化物层在所述锡层和所述铜引线框架之间。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，还包括：第一金属层，在所述铜引线框架的至少第三部分上，所述第一金属层在所述铜引线框架和所述金属氧化物层之间。
11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述第一金属层包括银，并且所述金属氧化物层包括氧化银。
12.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，还包括：第二金属层，在所述第一金属层和所述铜引线框架之间。
13.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，还包括：半导体裸片，在所述金属氧化物层上。
14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括：模塑化合物，在所述半导体裸片和所述金属氧化物层的至少第三部分上，所述模塑化合物与所述锡层相邻。
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