[实用新型]器件

说明书

本实用新型涉及器件。公开了一种包括在引线框架的至少部分上的金属氧化层的引线框架。更特别地，描述了在锡电镀层被形成之前具有在一个或多个引线上形成金属层和金属氧化物层的引线框架。在一个或多个引线与锡电镀层之间的金属层和金属氧化物层减少了锡晶须的形成，因此减少了短路的可能性，并且改善了封装结构和被生产的器件的总体可靠性。

技术领域

本公开内容涉及引线框架，其包括在表面的至少部分上的金属氧化物涂层。

背景技术

铜引线框架通常被用在封装空间中。半导体裸片被耦合到引线框架的中央位置，并且由引线包围。在引线的处理期间，(多个)锡层被电镀到铜的表面上。然而，在电镀期间，铜锡(Cu₆Sn₅) 金属间化合物(intermetallic)层被形成。在该层中一定等级的压缩应力引起单晶锡晶须的生长。

此类晶须可以长达10²-10³微米(μm)。因此，晶须可以接触相邻的引线并引起短路。附加地，已知这些晶须破坏其他元件和引起其他元件之间的短路。

数种策略已经被采用以防止该结果。例如，通常的是在电镀之后执行后烘步骤(例如，150℃达一小时)。该后烘步骤在金属间化合物层中通过松弛压缩应力来减少或避免晶须的生长。然而，后烘步骤不防止金属间化合物层的形成，并且因此不是彻底有效的解决方案。

备选地，引线框架的成分可以被修改，例如铁镍合金(例如 FeNi₄₂)可以被使用。然而，其他引线框架成分与许多用于锡层的电镀化学成分不兼容。因此，引线框架的成分的改变也可能需要修改电镀化学成分。附加地，由于引线框架的铁镍合金和锡层之间的热膨胀系数，在使用期间仍可以形成锡晶须。就此而言，修改引线框架的成分不是对此问题的彻底有效解决方案。

因此，特别需要一种引线框架，该引线框架包括不具有负责晶须形成的应力金属间化合物层的引线。

实用新型内容

为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种器件。

根据一个方面，提供了一种器件，包括：铜引线框架；金属层，在铜引线框架的至少部分上；以及金属氧化物层，在金属层上。

在一些实施例中，引线框架的部分包括引线。

在一些实施例中，还包括：锡层，在金属氧化物层的至少部分上。

在一些实施例中，金属层被布置在铜引线框架的第一侧上。

在一些实施例中，金属层被布置在铜引线框架的第二侧上，铜引线框架的第二侧与铜引线框架的第一侧相反。

在一些实施例中，还包括：模塑化合物，在金属氧化物层的至少第二部分上。

在一些实施例中，金属层包括：镍、金、银、或其组合。

在一些实施例中，金属氧化物层包括：氧化镍、氧化金、氧化银、或其组合。

根据一个方面，提供了一种器件，包括：铜引线框架；金属氧化物层，在铜引线框架的至少第一部分上；以及锡层，在铜引线框架的至少第二部分上，金属氧化物层在锡层和铜引线框架之间。

在一些实施例中，还包括：第一金属层，在铜引线框架的至少第三部分上，第一金属层在铜引线框架和金属氧化物层之间。

在一些实施例中，其中第一金属层包括银，并且金属氧化物层包括氧化银。

在一些实施例中，还包括：第二金属层，在第一金属层和铜引线框架之间。

在一些实施例中，还包括：半导体裸片，在金属氧化物层上。

在一些实施例中，还包括：模塑化合物，在半导体裸片和金属氧化物层的至少第三部分上，模塑化合物与锡层相邻。