[实用新型]一种检测5G GaN射频芯片胶层空洞的快速定位治具有效
申请号: | 201922397404.X | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN211017040U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 黄乙为;张怡;尚润;蔡择贤 | 申请(专利权)人: | 广东气派科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人: | 周玉红 |
地址: | 523330 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 gan 射频 芯片 空洞 快速 定位 | ||
本实用新型涉及一种检测5G GaN射频芯片胶层空洞的快速定位治具,包括底板和盖板,所述底板上设有多个产品定位针,所述整版芯片产品和盖板上均对应设有定位孔,所述产品定位针穿过整版芯片产品和盖板上的定位孔,所述盖板上还阵列设有多个用于标识对应单个芯片的金属线字符,所述金属线字符的位置与单个芯片的位置一一对应。盖板盖在整版芯片产品上,利用X‑Ray射线对高密度金属反射成像原理,成像照片在产品对应的位置就会显示出相应的金属线字符,在确认存在不良品后,直接读出并记录该单个芯片对应的金属线字符的内容即可立即定位不良品的坐标,可以杜绝人为的记录不准确找错产品及重复位置确认,大大提高检测效率。
技术领域
本实用新型涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种检测5GGaN射频芯片胶层空洞的快速定位治具。
背景技术
随着国内外5G技术的发展,市场陆续出现一些适用于5G产品的氮化镓芯片,此类芯片在工作时电流大、功率高,工作温度会高达250度,这就要求芯片封装产品具有高散热性、高可靠性的特性。在生产过程中,5GGaN射频芯片封装产品由于胶层空洞会产生少量的不良品,胶层空洞对封装产品的可靠性存在致命的品质隐患,所以在封装制程工艺生产过程中,需要通过X-Ray检测设备对整版贴装固化后的封装产品进行胶层空洞检测,并且要把检测到的不良品挑出进行报废;现行的测试方法是把整版封装产品直接放置于X-Ray设备的工作台上,然后进行对焦检查,在检测的过程中,当检测到不良品时需要人为的进行记数,在纸上先记下对应的行列数,检测完后再在产品上对应记录的位置找出对应的不良品,这种方法容易由于行列数记错找错产品,且效率低下。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可以提高检测效率的检测5GGaN射频芯片胶层空洞的快速定位治具。
本实用新型是这样实现的:一种检测5GGaN射频芯片胶层空洞的快速定位治具,用于对整版芯片产品进行检测,包括底板和盖板,所述底板和盖板均为非金属材料,所述底板上设有多个产品定位针,所述整版芯片产品和盖板上均对应设有定位孔,所述产品定位针穿过整版芯片产品和盖板上的定位孔,使三者实现定位,所述盖板上还阵列设有多个用于标识单个芯片的金属线字符,所述金属线字符的位置与单个芯片的位置一一对应。
其中,所述金属线字符的线条宽度为0.30mm-0.50mm。
其中,所述盖板为覆铜板,除了金属线字符以外的铜被腐蚀掉。
其中,所述金属线字符为铜线字符或铝线字符。
其中,所述金属线字符包括三位数,第一位数为竖向标识,从上到下依次用26个英文字母进行标识,第二位数和第三位为横向标识,从左到右依次用01、02、03……二位数进行标识。
其中,所述底板两侧的中部还设有取放缺口,用于容纳手指以方便取放整版芯片产品。
本实用新型的有益效果为:所述快速定位治具的底座主要用于放置和定位整版芯片产品,以及定位盖板,盖板盖在整版芯片产品上,盖板上的金属线字符的位置与单个芯片的位置一一对应,在利用X-Ray设备进行检测时,利用X-Ray射线对高密度金属反射成像原理,成像照片在产品对应的位置就会显示出相应的金属线字符,在确认存在不良品后,直接读出并记录该单个芯片对应的金属线字符的内容即可立即定位不良品的坐标,可以杜绝人为的记录不准确找错产品及重复位置确认,大大提高检测效率。
附图说明
图1是本实用新型所述检测5GGaN射频芯片胶层空洞的快速定位治具实施例的剖面图;
图2是本实用新型所述底板的俯视图;
图3是本实用新型所述盖板的俯视图;
图4是图3中A处放大图;
图5是本实用新型所述整版芯片产品的局部示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造