[实用新型]一种高精度胶位的半导体模具有效

专利信息
申请号: 201922411521.7 申请日: 2019-12-28
公开(公告)号: CN211542183U 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 张敏 申请(专利权)人: 苏州赛宏精密模具有限公司
主分类号: B29C45/26 分类号: B29C45/26;B29C45/27;B29C45/14;H01L21/67;B29L31/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 半导体 模具
【权利要求书】:

1.一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:包括公模仁(1)以及与公模仁(1)配合的母模仁(2),所述母模仁(2)的中心设置有注胶口(3),所述注胶口(3)与公模仁(1)上设置的胶道(4)连接,所述胶道(4)的两侧设置有第一镶件(5),所述第一镶件(5)共有十六件,对称分布在胶道(4)的两侧,并通过进胶点(401)连接,所述胶道(4)横向或纵向设置于公模仁(1)的中心轴线上;所述母模仁(2)上设置有对应第一镶件(5)的第二镶件(6),所述第二镶件(6)和第一镶件(5)设置有封装半导体的胶位(7),所述胶位(7)中设置有第三镶件(8),所述第三镶件(8)的四侧设置有排气槽(9)。

2.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述第三镶件(8)距离第一镶件(5)和/或第二镶件(6)的胶位侧壁的距离设置在0.05-0.1mm。

3.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述第三镶件(8)与第一镶件(5)和/或第二镶件(6)的配合公差设置在±0.001mm;所述第一镶件(5)和/或第二镶件(6)与公模仁(1)和/或母模仁(2)的配合公差设置在±0.001mm。

4.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述第一镶件(5)、第二镶件(6)和第三镶件(8)的胶位精度设置在±0.001mm。

5.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述排气槽(9)包括与胶位面连接的第一排气槽以及与镶件底部连接的第二排气槽,所述第二排气槽连接第一排气槽,所述第一排气槽的深度不超过0.005mm;所述第二排气槽的深度不低于0.1mm。

6.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述第一镶件(5)和/或第二镶件(6)的胶位两侧设置有与第三镶件(8)连接的第四镶件(10),所述第四镶件(10)上设置有引脚槽(11);所述引脚槽(11)的底部设置有通气口(12)。

7.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述公模仁(1)的四个直角设置有定位块(13),所述定位块(13)与母模仁(2)上设置的定位槽(14)连接。

8.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具,其特征在于:所述公模仁(1)和/或母模仁(2)上还分别设置有模板(15),所述模板(15)之间通过导柱(16)和导套(17)连接。

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