[实用新型]一种承载晶圆的升降装置有效
申请号: | 201922421190.5 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN211578720U | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 汪新学;陶智昆 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 承载 升降 装置 | ||
1.一种承载晶圆的升降装置,其特征在于,包括:
升降台,用于承载晶圆,可上下移动,所述升降台上设有贯穿所述升降台的至少一第一通孔和至少一第二通孔,所述至少一第一通孔围成环形,所述环形内部能够容纳水平放置的晶圆,所述至少一第二通孔位于所述环形内部;
第一晶圆支撑件,位于所述升降台的上表面、所述环形内部;
第二晶圆支撑件,通过所述第二通孔贯穿所述升降台,且所述升降台能够沿所述第二晶圆支撑件上下移动;
当所述升降台降落时,所述第一晶圆支撑件的上表面低于所述第二晶圆支撑件的上表面,所述晶圆由所述第二晶圆支撑件支撑;
当所述升降台升起时,所述第一晶圆支撑件的上表面高于所述第二晶圆支撑件的上表面,所述晶圆由所述第一晶圆支撑件支撑;
限位结构,通过所述第一通孔贯穿所述升降台,且所述限位结构的上表面高于所述第二晶圆支撑件的上表面,所述升降台能够沿所述限位结构上下移动,所述限位结构环绕于所述晶圆的外周,用于限制所述晶圆的水平移动。
2.根据权利要求1所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述第一通孔为多个,多个所述第一通孔相对于所述环形的中心对称分布。
3.根据权利要求2所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述限位结构包括多个支柱,每个所述支柱从一个所述第一通孔伸出。
4.根据权利要求1所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述第一通孔为环形通孔,所述限位结构为贯穿所述环形通孔的围墙。
5.根据权利要求4所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述围墙设有缺口,所述缺口的宽度大于承载晶圆的机械手的宽度。
6.根据权利要求1所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,还包括:保护套,位于所述升降台的表面,套设于所述限位结构的外周。
7.根据权利要求1所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述第一晶圆支撑件包括多个分散设置的第一柱体,且多个所述第一柱体的上表面齐平。
8.根据权利要求7所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,其中两个所述第一柱体之间的距离大于承载晶圆的机械手的宽度。
9.根据权利要求7所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述第二晶圆支撑件包括多个分散设置的第二柱体,且多个所述第二柱体的上表面齐平。
10.根据权利要求9所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述第一柱体环绕所述第二柱体。
11.根据权利要求9所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,多个所述第一柱体之间对称分布,和/或多个所述第二柱体之间对称分布。
12.根据权利要求1所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,还包括支撑平台,位于所述升降台下方,所述支撑平台的上表面与所述升降台的下表面之间设有伸缩部件,所述升降台通过所述伸缩部件上下运动。
13.根据权利要求12所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述限位结构的下端固定于所述支撑平台上。
14.根据权利要求12所述的承载晶圆的升降装置,其特征在于,所述支撑平台设有容置空间,所述容置空间内设有电子秤,所述第二晶圆支撑件的下端固定于所述电子秤上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造