[实用新型]一种硅片酸腐蚀系统有效
申请号: | 201922431190.3 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN210897216U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王海君;杨波;王军 | 申请(专利权)人: | 麦斯克电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 陈佳丽 |
地址: | 471000 河南省洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 酸腐 系统 | ||
1.一种硅片酸腐蚀系统,包括腐蚀槽(2),其特征在于:还包括恒温槽(1)和补液槽(3),外部酸液通过管道分别与补液槽(3)和恒温槽(1)连接,补液槽(3)和外部气体分别通过管道接入腐蚀槽(2),腐蚀槽(2)上设有排液管,腐蚀槽(2)所在位置高于恒温槽(1),恒温槽(1)和腐蚀槽(2)之间通过2根管道连通,其中一根管道上设有酸泵(4),用于从恒温槽(1)向腐蚀槽(2)输送酸液,另一根管道用于腐蚀槽(2)内的酸液依靠重力流回恒温槽(1),由此使酸液在恒温槽(1)与腐蚀槽(2)之间循环流动,恒温槽(1)内设有热交换管(14),热交换管(14)内接入外部不同温度的水与恒温槽(1)内的酸液进行热量交换。
2.根据权利要求1所述的一种硅片酸腐蚀系统,其特征在于:所述腐蚀槽(2)内设有温控探头(13)。
3.根据权利要求1所述的一种硅片酸腐蚀系统,其特征在于:所述外部酸液与补液槽(3)以及恒温槽(1)之间的连接管路上分别设有气动阀A(5)和气动阀B(6),补液槽(3)与腐蚀槽(2)之间的连接管路上设有气动阀C(7)和补酸流量计(10),外部气体与腐蚀槽(2)之间的连接管路上设有气动阀D(8)和气体流量计(11),腐蚀槽(2)的排液管上设有气动阀E(9)和排液流量计(12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造