[实用新型]一种硅片酸腐蚀系统

说明书

一种硅片酸腐蚀系统，涉及半导体材料生产技术领域，包括腐蚀槽，还包括恒温槽和补液槽，外部酸液通过管道分别与补液槽和恒温槽连接，补液槽和外部气体分别通过管道接入腐蚀槽，腐蚀槽上设有排液管，腐蚀槽所在位置高于恒温槽，恒温槽和腐蚀槽之间通过2根管道连通，其中一根管道上设有酸泵，另一根管道用于腐蚀槽内的酸液依靠重力流回恒温槽，恒温槽内设有热交换管，热交换管内接入外部不同温度的水与恒温槽内的酸液进行热量交换。本实用新型有益效果：对腐蚀槽的化学液温度、浓度、搅拌进行针对性的控制，从而使腐蚀过程中硅片的腐蚀速率、腐蚀均匀性、腐蚀表面粗糙度有效受控，保证腐蚀后硅片的一致性。

技术领域

本实用新型属于半导体材料生产技术领域，具体涉及一种硅片酸腐蚀系统。

背景技术

在半导体硅抛光片制造过程中，硅晶片经过双面磨片机研磨之后，由于磨粉颗粒和上磨板正向压力的作用，总会在硅晶片表面有一层薄层的损伤层，这些由于机械加工过程使晶格破坏造成的硅晶片表面损伤大约10～20µm。在半导体材料生产制造领域，通常是通过化学腐蚀硅晶片表面的方法来消除这种研磨产生的表面晶格结构损伤。化学腐蚀的方法分为碱腐蚀和酸腐蚀两种，这两种方法目前都在使用。酸腐蚀所用酸腐蚀液是由硝酸（HNO3）、氢氟酸（HF）以及缓冲剂按照一定比例混合而成即混酸，缓冲剂一般使用冰乙酸（CH3COOH）或磷酸（H3PO4）。目前，所用的酸腐蚀工艺多为一个腐蚀槽，腐蚀槽内化学液定量使用，硅片腐蚀多次后，腐蚀槽内化学液完全排掉，下次使用则重新注入新的化学液，整体性能可以满足，但在使用过程中发现硅片的腐蚀速率、腐蚀均匀性、腐蚀表面粗糙度不宜控制，造成腐蚀后的硅片腐蚀质量一致性不好。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种硅片酸腐蚀系统，解决现有酸腐蚀过程中硅片的腐蚀速率、腐蚀均匀性、腐蚀表面粗糙度不宜控制，造成腐蚀后的硅片腐蚀质量一致性不好的问题。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种硅片酸腐蚀系统，包括腐蚀槽，还包括恒温槽和补液槽，外部酸液通过管道分别与补液槽和恒温槽连接，补液槽和外部气体分别通过管道接入腐蚀槽，腐蚀槽上设有排液管，腐蚀槽所在位置高于恒温槽，恒温槽和腐蚀槽之间通过2根管道连通，其中一根管道上设有酸泵，用于从恒温槽向腐蚀槽输送酸液，另一根管道用于腐蚀槽内的酸液依靠重力流回恒温槽，由此使酸液在恒温槽与腐蚀槽之间循环流动，恒温槽内设有热交换管，热交换管内接入外部不同温度的水与恒温槽内的酸液进行热量交换。

本实用新型所述腐蚀槽内设有温控探头。

本实用新型所述外部酸液与补液槽以及恒温槽之间的连接管路上分别设有气动阀A和气动阀B，补液槽与腐蚀槽之间的连接管路上设有气动阀C和补酸流量计，外部气体与腐蚀槽之间的连接管路上设有气动阀D和气体流量计，腐蚀槽的排液管上设有气动阀E和排液流量计。

本实用新型的有益效果是：本实用新型设计合理，提供了一种安全有效可靠硅片酸腐蚀系统，可以对腐蚀槽的化学液温度、浓度、搅拌进行针对性的控制，从而使腐蚀过程中硅片的腐蚀速率、腐蚀均匀性、腐蚀表面粗糙度有效受控，保证腐蚀后硅片的一致性。

附图说明

图1为本实用新型硅片酸腐蚀系统的结构示意图；

图中标记：1、恒温槽， 2、腐蚀槽， 3、补液槽，4、酸泵，5、气动阀A，6、气动阀B，7、气动阀C，8、气动阀D，9、气动阀E，10、补酸流量计 ，11、气体流量计，12、排液流量计，13、温控探头，14、热交换管。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型的具体实施方式进行详细的阐述和说明。